[发明专利]一种氧化铝靶材和该靶材制备的透明导电薄膜

权利要求书

1.一种氧化铝靶材和该靶材制备的透明导电薄膜，其特征在于：纯度高于99.9％，相对密度高于90％，该靶材刻蚀过程中表面光滑细腻，无结节产生，辉光放电稳定，能够用于生产高质量的AZO透明导电薄膜。

2.一种权利要求1所述的氧化铝靶材和该靶材制备的透明导电薄膜，其特征在于：使用高纯商业氧化铝粉为原料，使用不锈钢模具1～50MPa单轴压预压成型，再经100～300MPa冷等静压成型，真空炉1500℃～1900℃烧结而成。所得的氧化铝陶瓷再经氧气氛高温退火、切割、抛光得到高质量的氧化铝陶瓷靶材。

3.一种氧化铝靶材和该靶材制备的透明导电薄膜，其特征在于：该导电膜中，铝含量与铝含量和锌含量之和的质量比[W_Al/(W_Al+W_Zn)]＜40％，沿(002)择优取向的六方纤锌矿相结构，调节铝组分含量可以在10^-1～10^-4Ω·cm范围内调控薄膜的电阻率，同时保持在400～1000nm波长范围内平均透过率大于80％，改变薄膜中的铝组分可实现此透明导电膜的光电性能在较大范围内可调。

4.权利要求3所述的AZO透明导电薄膜，其特征在于：所制备的AZO透明导电膜是采用磁控溅射方法在碱玻璃、石英玻璃、蓝宝石、氮化镓、氧化锌等透明衬底上制备，薄膜厚度为5～2000nm。

5.一种权利要求3所述的铝掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法，其特征在于：采用氧化锌陶瓷靶和氧化铝陶瓷靶多靶共溅射方法制备，也可采用氧化铝靶和锌靶反应溅射方法制备。

6.权利要求5所述的铝掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法，其特征在于：所使用的锌、氧化锌陶瓷靶和氧化铝陶瓷靶纯度不低于99.9％，相对密度不低于90％。

7.权利4或5所述的铝掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述锌靶或氧化锌陶瓷靶和氧化铝陶瓷靶多靶共溅射方法过程中，工作气体为纯氩气、氩氢混气、氩氧混气，压强为0.1～5.0Pa；锌靶、氧化锌靶及氧化铝靶溅射功率密度分别为1～20W/cm²、2.5～15W/cm²和1.5～10W/cm²，衬底温度为室温～500℃，偏压为0～-200V。