[发明专利]画素结构

权利要求书

1.一种画素结构，包括一扫描线、一储存电容、一第一画素电容、一调整电容、一第二画素电容，其特征在于：还包括一资料线、一讯号线、一第一薄膜晶体管以及一第二薄膜晶体管；其中，

所述储存电容，包含一第一端与一第二端；

所述第一薄膜晶体管，包含一第一闸极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中该第一闸极电极端与所述扫描线电性连接，该第一源极电极端与所述数据线电性连接，且该第一汲极电极端与所述储存电容的第一端电性连接；

所述第一画素电容，包含一第一端与一第二端，其中该第一画素电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接，且该第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接；

所述调整电容，包含一第一端与一第二端，其中该调整电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接；

所述第二画素电容，包含一第一端与一第二端，其中该第二画素电容的第一端与所述调整电容的第二端电性连接，且该第二画素电容的第二端与所述共通电位电性连接；

所述第二薄膜晶体管，包含一第二闸极电极端、一第二源极电极端以及一第二汲极电极端，其中第二源极电极端与所述调整电容的第二端以及所述第二画素电容的第一端电性连接，该第二闸极电极端与所述扫描线电性连接，且该第二汲极电极端与所述讯号线电性连接。

2.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于：所述讯号线为一共通线，且该共通线具有所述共通电位。

3.如权利要求2所述的画素结构，其特征在于：所述储存电容的第二端与所述共通线电性连接。

4.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于：所述第一薄膜晶体管的信道宽度与信道长度之比值大于所述第二薄膜晶体管的信道宽度与信道长度之比值。

5.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于：所述第一薄膜晶体管具有比所述第二薄膜晶体管较高的导通工作电流。

6.一种画素结构，包括一扫描线和一资料线；其特征在于：还包括

一第一振荡讯号线，具有一第一时变周期性讯号；

一第二振荡讯号线，具有一第二时变周期性讯号，且所述第一时变周期性讯号不同于该第二时变周期性讯号；

一第一区域，位于所述第一振荡讯号线与所述扫描线之间；

一第二区域，位于所述第二振荡讯号线与所述扫描线之间；

一第一储存电容，位于所述第一区域，包含一第一端与一第二端，且该第一储存电容的第二端与所述第一振荡讯号线电性连接；

一第一薄膜晶体管，位于所述第一区域，包含一第一闸极电极端、一第一源极电极端以及一第一汲极电极端，其中该第一闸极电极端与所述扫描线电性连接，该第一源极电极端与所述数据线电性连接，且该第一汲极电极端与所述第一储存电容的第一端电性连接；

一第一画素电容，位于所述第一区域，包含一第一端与一第二端，其中该第一画素电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接，且该第一画素电容的第二端与一共通电位电性连接；

一第一调整电容，位于所述第一区域，包含一第一端与一第二端，其中该第一调整电容的第一端与所述第一汲极电极端电性连接；

一第二画素电容，位于所述第一区域，包含一第一端与一第二端，其中该第二画素电容的第一端与所述第一调整电容的第二端电性连接，且该第二画素电容的第二端与所述共通电位电性连接；

一第二薄膜晶体管，位于所述第一区域，包含一第二闸极电极端、一第二源极电极端以及一第二汲极电极端，其中第二源极电极端与所述第一调整电容的第二端以及所述第二画素电容的第一端电性连接，该第二闸极电极端与所述扫描线电性连接，且该第二汲极电极端与所述第一振荡讯线电性连接；

一第二储存电容，位于所述第二区域，包含一第一端与一第二端，且该第二储存电容的第二端与所述第二振荡讯号线电性连接；

一第三薄膜晶体管，位于所述第二区域，包含一第三闸极电极端、一第三源极电极端以及一第三汲极电极端，其中该第三闸极电极端与所述扫描线电性连接，该第三源极电极端与所述数据线电性连接，且该第三汲极电极端与所述第二储存电容的第一端电性连接；

一第三画素电容，位于所述第二区域，包含一第一端与一第二端，其中该第三画素电容的第一端与所述第三汲极电极端电性连接，且该第三画素电容的第二端与所述共通电位电性连接；

一第二调整电容，位于所述第二区域，包含一第一端与一第二端，其中该第二调整电容的第一端与所述第三汲极电极端电性连接；

一第四画素电容，位于所述第二区域，包含一第一端与一第二端，其中该第四画素电容的第一端与所述第二调整电容的第二端电性连接，且该第四画素电容的第二端与所述共通电位电性连接；以及

一第四薄膜晶体管，位于所述第二区域，包含一第四闸极电极端、一第四源极电极端以及一第四汲极电极端，其中该第四源极电极端与所述第二调整电容的第二端以及所述第四画素电容的第一端电性连接，该第四闸极电极端与所述扫描线电性连接，且该第四汲极电极端与所述第二振荡讯线电性连接。