[发明专利]降低飞行器内核温度的热防护涂层结构无效
申请号: | 200910112588.9 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN101659137A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 游佰强;付尧;熊兆贤;周建华;林斌;陈洁茹 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | B32B7/02 | 分类号: | B32B7/02;B32B33/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人: | 马应森;刘 勇 |
地址: | 361005福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 降低 飞行器 内核 温度 防护 涂层 结构 | ||
1、降低飞行器内核温度的热防护涂层结构,其特征在于设有外涂敷层、中涂敷层和内涂敷层,外涂敷层采用介电常数为n1的耐高温材料,中涂敷层采用介电常数为n2的透波材料,内涂敷层采用介电常数为n3的耐高温材料,n2>n1,n2>n3,n3R23/(n1R12)≤1,其中,R12为入射电磁波在外涂敷层与中涂敷层的分界面上的入射点的曲率半径,R23为入射电磁波在中涂敷层与内涂敷层的分界面上的入射点的曲率半径。
2、如权利要求1所述的降低飞行器内核温度的热防护涂层结构,其特征在于所述介电常数为n1的耐高温材料,为陶瓷基复合材料。
3、如权利要求2所述的降低飞行器内核温度的热防护涂层结构,其特征在于所述陶瓷基复合材料为α-氮化硅的陶瓷基复合材料。
4、如权利要求1所述的降低飞行器内核温度的热防护涂层结构,其特征在于所述介电常数为n2的透波材料,为透波陶瓷。
5、如权利要求4所述的降低飞行器内核温度的热防护涂层结构,其特征在于所述透波陶瓷为硅酸镁的透波陶瓷。
6、如权利要求1所述的降低飞行器内核温度的热防护涂层结构,其特征在于所述介电常数为n3的耐高温材料,为陶瓷基复合材料。
7、如权利要求6所述的降低飞行器内核温度的热防护涂层结构,其特征在于所述陶瓷基复合材料为二氧化硅的陶瓷基复合材料。
8、如权利要求1所述的降低飞行器内核温度的热防护涂层结构,其特征在于所述n3R23/(n1R12)的反正旋小于或等于电磁波从外涂敷层入射至中涂敷层时的入射角i1,即arcsin(n3R23/(n1R12))≤i1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学,未经厦门大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910112588.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。