[发明专利]一种新型铁电单晶铌镱酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅无效
申请号: | 200910112708.5 | 申请日: | 2009-10-28 |
公开(公告)号: | CN102051685A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 龙西法;何超;李修芝;王祖建 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B29/30;C30B9/06 |
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地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 铁电单晶铌镱酸铅 铌镁酸铅 钛酸铅 | ||
1.一种新型铁电单晶铌镱酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅,其特征在于:化学式为(1-x-y)Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3,简称PYN-PMN-PT或PYMNT,属于典型的钙钛矿结构,该固溶体存在准同型相界MPB,MPB的组分为:连接(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3的MPB组分和(1-x)Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3的MPB组分的组分就是PYN-PMN-PT三元体系的MPB区。
2.一种如权利要求1所述的晶体的生长方法,其特征在于:采用助溶剂法生长,将初始原料PbO、MgO、TiO2、Yb2O3、Nb2O5,助溶剂采用PbO和H3BO3或B2O3复合助溶剂,按照比例称量,混合研磨,化料;将化好的料加热至过饱和温度以上,恒温一定时间,然后缓慢降温生长;泡料温度为950-1200℃之间,以每天1-20℃的速率降温;在生长过程中可用铂金丝悬在液面中央,以形成成核中心,减少成核数量和促进成核生长;生长结束,以10-30℃/h降温退火,后取出晶体。
3.一种如权利要求1所述的晶体的生长方法,其特征在于:采用顶部籽晶法生长,将初始原料PbO、MgO、TiO2、Yb2O3、Nb2O5,助溶剂采用PbO和H3BO3或B2O3复合助溶剂,按照比例称量,混合研磨,化料;将化好的料加热至过饱和温度以上,恒温一定时间,用籽晶找到生长点;在950℃-1100℃生长,晶转速率为5-30rpm,降温速率为每天0.2-5℃;生长结束,晶体提出液面,以10-30℃/h降温退火。
4.一种如权利要求3所述生长方法得到的铌镱酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅晶体,其特征在于:该晶体外形为显露(001)自然生长面的四方形晶体。
5.一种如权利要求1或4的材料的用途,其特征在于:该材料用于超声医学成像、声纳传感器、水声换能器、驱动器、超声马达等压电领域的器件上。
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