[发明专利]铁离子印迹硅胶的制备方法

权利要求书

1.铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)硅胶的活化：将硅胶用酸溶液浸泡，再用水洗涤至中性，烘干得活化硅胶，待用；

2)制备铁离子印迹硅胶：将含铁离子的盐置于溶剂中，加热搅拌至固体溶解，得混合物，在混合物中加入巯丙基硅烷，加热搅拌回流，然后加入活化硅胶，继续加热搅拌回流，得铁离子印迹硅胶初产物，所述巯丙基硅烷为巯丙基三甲氧基硅烷或巯丙基三乙氧基硅烷；

3)铁离子印迹硅胶的后处理：将所得铁离子印迹硅胶初产物过滤，用溶剂洗涤至无杂质检出，然后用酸浸泡至无铁离子印迹硅胶检出，最后用水洗涤铁离子印迹硅胶至中性，烘干，得最后产物铁离子印迹硅胶。

2.如权利要求1所述的铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述硅胶的粒径为30～300目。

3.如权利要求1所述的铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述酸为盐酸、硫酸或硝酸，所述酸溶液的摩尔浓度为1～10mol/L。

4.如权利要求1所述的铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述硅胶与酸的用量为每克硅胶加5～20ml酸。

5.如权利要求1所述的铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述浸泡的时间为0.5～10h，所述水用超纯水，所述烘干的温度为40～120℃。

6.如权利要求1所述的铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述含铁离子的盐为氯化铁、硫酸铁或醋酸铁；所述溶剂为甲醇或乙醇溶液。

7.如权利要求1所述的铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述含铁离子的盐与溶剂的用量为每克含铁离子的盐加入20～50ml溶剂，所述加入巯丙基硅烷的量与含铁离子的盐的摩尔比为1∶1～5。

8.如权利要求1所述的铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述加热搅拌回流的温度为60～80℃，加热搅拌回流的时间为0.5～5.0h。

9.如权利要求1所述的铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述加入活化硅胶的用量为巯丙基硅烷的1～2倍；所述继续加热搅拌回流的时间为6～48h。

10.如权利要求1所述的铁离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述溶剂为甲醇或乙醇，所述酸的摩尔浓度为0.5～5.0mol/L，所述酸为盐酸、硝酸或醋酸，所述水为超纯水，所述烘干的温度为60～80℃，烘干的时间为1.0～12.0h。