[发明专利]一种生长CdO纳米线束的方法无效
| 申请号： | 200910113485.4 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101693550A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 吴荣;简基康;杨林钰;刘莉丽;孙言飞;郑毓峰 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C01G11/00 | 分类号： | C01G11/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046 新疆维*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 cdo 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdO纳米线束的方法，其特征在于通过以下 工艺过程实现：按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例将CdO粉末与金属铋粉末均匀混 合后置于以钼片为材料做成的电阻加热舟中做蒸发源，将衬底置于蒸发源上方3 毫米至4厘米处，密闭腔体，当包含有电阻加热舟和衬底的真空蒸发炉腔体的 真空度达到2×10-2Pa-5×10-3Pa后，加蒸发电流，最大沉积电流为110-180A， 最大电流处沉积时间为5分钟-15分钟，衬底上形成黄色或黄褐色的沉积物，即 为CdO纳米线束。
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