[发明专利]一种生长CdO纳米线束的方法无效
申请号: | 200910113485.4 | 申请日: | 2009-10-19 |
公开(公告)号: | CN101693550A | 公开(公告)日: | 2010-04-14 |
发明(设计)人: | 吴荣;简基康;杨林钰;刘莉丽;孙言飞;郑毓峰 | 申请(专利权)人: | 新疆大学 |
主分类号: | C01G11/00 | 分类号: | C01G11/00;B82B3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 830046 新疆维*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生长 cdo 纳米 方法 | ||
1.一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdO纳米线束的方法,其特征在于通过以下 工艺过程实现:按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例将CdO粉末与金属铋粉末均匀混 合后置于以钼片为材料做成的电阻加热舟中做蒸发源,将衬底置于蒸发源上方3 毫米至4厘米处,密闭腔体,当包含有电阻加热舟和衬底的真空蒸发炉腔体的 真空度达到2×10-2Pa-5×10-3Pa后,加蒸发电流,最大沉积电流为110-180A, 最大电流处沉积时间为5分钟-15分钟,衬底上形成黄色或黄褐色的沉积物,即 为CdO纳米线束。
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