[发明专利]三元系芯片型负温度系数热敏电阻器

权利要求书

1.一种三元系芯片型负温度系数热敏电阻器，其特征在于是以分析纯的硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴为原料，以碳酸氢铵为沉淀剂，采用液相共沉淀法，将硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴溶于去离子水中，配制成混合溶液，再将碳酸氢铵加去离子水配制成沉淀剂溶液，将碳酸氢铵溶液缓慢滴加到金属硝酸盐混合溶液中，用氨水控制pH值，静置，再用去离子水及无水乙醇洗涤抽滤，烘干，研磨，热分解，再研磨，煅烧，研磨后预压成型为生坯，经冷等静压，高温烧结，半导体切、划片得到热敏电阻芯片，采用环氧树脂对芯片进行密封，即可得到三元系芯片型负温度系数热敏电阻器；其中各组分摩尔百分比为：Mn∶Ni∶Co＝30-70∶1-15∶29-55。

2.根据权利要求1所述三元系芯片型负温度系数热敏电阻器的制备方法，其特征在于按下列步骤进行：

a、首先分别称取原料硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴，混合溶入去离子水中，配制成混合溶液；

b、将分析纯的碳酸氢铵溶于去离子水中，充分搅拌溶解，配制成碳酸氢铵沉淀剂溶液；

c、将碳酸氢铵沉淀剂溶液缓慢滴加到步骤a混合溶液中，搅拌均匀，控制加热温度在30-50℃，pH值控制在7.8-9，反应过程中不停搅拌；

d、将反应后的沉淀液静置24h，先采用去离子水洗涤5次后，再用无水乙醇洗涤3次，放入烘箱于80℃下进行干燥处理；

e、将步骤d干燥处理后的粉体，进行研磨分散处理，将粉体在400-600℃热分解1.5-3h，进一步研磨，并在700-900℃煅烧1.5-3h，即得到锰镍钴三元系热敏电阻氧化物纳米粉体；

f、将步骤e煅烧后的粉体再次进行研磨，粉体以30-40Kg/cm²的压力进行压块成型，时间为1-10min，将成型的块体材料进行冷等静压，在压强为300-400MPa下保压1-10min，然后于1100-1200℃高温烧结1-3h，制得负温度系数热敏陶瓷块体材料；

g、采用半导体切割技术，将烧结的陶瓷块体材料切片、涂烧电极、划片，即得热敏电阻芯片；

h、将配制好的环氧树脂密封芯片，即可得到三元系芯片型负温度系数热敏电阻器，其参数为B_25/50＝3920K±1％，R_25℃＝1.0-4.0KΩ±3％。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于步骤a硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴混合溶液控制金属离子摩尔浓度为1mol/L。

4.根据权利要求2所述方法，其特征在于步骤b碳酸氢铵溶于去离子水中控制摩尔浓度为1.25mol/L。

5.根据权利要求2所述方法，其特征在于步骤e粉体颗粒大小为得到锰镍钴三元系热敏电阻氧化物纳米粉体50-120nm。