[发明专利]一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器

权利要求书

1.一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器，其特征在于该 电阻是由原料镧、铬、铝、硅的氧化物，各组分原子比为： La∶Cr∶Al∶Si＝0.6-1.0∶1.1-0.4∶0.1-0.3∶0.2-0.3和原料锰、镍、 铬、锆的氧化物，各组分原子比为：Mn∶Ni∶Cr∶Zr＝2.2-2.7∶0.05- 0.15∶0.06-0.1∶0.05-0.69，分别进行研磨，煅烧，制得颗粒大小 均匀，分散性好的单一相材料，再经双相混合，研磨，高温烧结，封 装，即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器，具体操作按下 列步骤进行：

a、将原料镧、铬、铝、硅的氧化物采用氧化物法研磨5-8h， 于950-1000℃空气气氛下煅烧1.5-2.5h，二次研磨5-8h，得到 单一钙钛矿相氧化物粉体，备用；

b、将原料锰、镍、铬、锆的氧化物采用氧化物法研磨5-8h， 于950-1000℃空气气氛下煅烧1.5-2.5h，二次研磨5-8h，得到 单一尖晶石相氧化物粉体，备用；

c、将步骤a和步骤b两种氧化物混合研磨2-5h，得到双相混 合的氧化物粉体，其中两种氧化物的比例为：按质量比镧、铬、铝、 硅的氧化物∶锰、镍、铬、锆的氧化物＝1∶2-5；

d、将双相混合的氧化物粉体成型，在空气气氛下以1-3℃/min 的速率加热到1030-1100℃，保温30-60min，再以3-5℃/min速 率加热到1250-1350℃，烧结并保温1.5-3h，降温速率为1- 3℃/min，即得双相复合负温度系数热敏陶瓷材料；

e、将双相复合陶瓷材料按常规方法进行封装，测试，即可得到 高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器，参数为R_0℃＝12KΩ±2％，B 值为2050K±3％。

2.根据权利要求1所述高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器 的制备方法，其特征在于按下列步骤进行：

a、将原料镧、铬、铝、硅的氧化物采用氧化物法研磨5-8h， 于950-1000℃空气气氛下煅烧1.5-2.5h，二次研磨5-8h，得到 单一钙钛矿相氧化物粉体，备用；

b、将原料锰、镍、铬、锆的氧化物采用氧化物法研磨5-8h， 于950-1000℃空气气氛下煅烧1.5-2.5h，二次研磨5-8h，得到 单一尖晶石相氧化物粉体，备用；

c、将步骤a和步骤b两种氧化物混合研磨2-5h，得到双相混 合的氧化物粉体；

d、将双相混合的氧化物粉体成型，在空气气氛下以1-3℃/min 的速率加热到1030-1100℃，保温30-60min，再以3-5℃/min速 率加热到1250-1350℃，烧结并保温1.5-3h，降温速率为1- 3℃/min，即得双相复合负温度系数热敏陶瓷材料；

e、将双相复合陶瓷材料按常规方法进行封装，测试，即可得到 高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器，参数为R_0℃＝12KΩ±2％，B 值为2050K±3％。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于步骤a单一钙钛矿相 氧化物粉体颗粒尺寸为50-100nm。

4.根据权利要求2所述方法，其特征在于步骤b单一尖晶石相 氧化物粉体颗粒尺寸为80-120nm。

5.根据权利要求2所述方法，其特征在于步骤c两种氧化物的 比例为：按质量比镧、铬、铝、硅的氧化物∶锰、镍、铬、锆的氧化 物＝1∶2-5。