[发明专利]铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其特征在于：化学通式为 (Ba_1-xA_x)(Sb_yBi_1-y)O₃，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。

2.根据权利要求1所述的铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其特征 在于：所述稀土金属元素选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Er和Yb中 的任意一种。

3.权利要求1或2所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷的制备方法， 其特征在于包括以下步骤：

1)配料：按照通式(Ba_1-xA_x)(Sb_yBi_1-y)O₃配料，以球、料、水的质量比 例为1∶1∶2的标准加入玛瑙球、所称原料和去离子水，球磨8小时后，干 燥；

2)焙烧：将干燥后的物料在900℃下焙烧，保温4小时；

3)造粒：向焙烧所得的物料加入浓度为2wt％的聚乙烯醇溶液，混合 物烘干后再进行造粒，然后过60目筛；

4)压型：采用干压成型，成型压强200MPa，试样的直径18mm，厚度 为1.5～3mm；

5)烧成：烧成温度为950～1050℃，保温时间为2～4小时；

6)电极制备：在产品上下表面用丝网印刷低温银电极浆料，烘干后， 再升温至520℃，保温15分钟，空气中冷却。