[发明专利]较低温度下制备M2SiO4基质荧光粉的方法有效

专利信息
申请号: 200910114408.0 申请日: 2009-09-19
公开(公告)号: CN101671559A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 强耀春;张宝林 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 温度 制备 sub sio 基质 荧光粉 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种较低温度下制备M2SiO4基质荧光粉的方法,属于材料合成技 术领域。

技术背景

M2SiO4基质硅酸盐荧光粉由于具有物理化学性能稳定、耐老化性能优异、光 转化效率高、结晶度高、结晶体透光性好的优点,而被广泛应用于各个光学领 域。在M2SiO4基质中添加少量不同的发光离子(Mn2+,Eu2+等)可以使其有不同的 发光性能。如ZnSiO4:Mn2+绿色荧光粉被广泛应用于CRT,PDP,长余辉显示等领 域;(Ba,Sr,Ca,Mg)2SiO4:Eu2+黄色荧光粉被广泛应用于白光LED照明领域。

目前,M2SiO4(M选自Zn、Mg、Sr、Ca和Ba中的一种或多种元素组合)基质 硅酸盐荧光粉的制备主要采用传统的高温固相法,即将M2CO3,SiO2,助熔剂等 原料充分混合后,在空气中1100-1350℃灼烧1-3h,再在还原气氛中升温至 1100-1350℃,保温3-5h合成。该方法往往需要多次高温灼烧,而且此过程中 容易生成杂相。生产中上述制备过程需要消耗大量能源,对加热设备配置的要 求较高,合成产物一般需要经过破碎、分级等后处理,耗时耗能。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术存在的以上问题,提供一种较低温度下制 备免球磨M2SiO4基质荧光粉的方法。与高温固相法相比,该方法可以在较低温度 (800-870℃)、较短时间(1h)还原气氛中合成出纯度高,发光性能优良,颗 粒粒径在5μm左右,无需通过球磨减小粒径就可以达到使用要求的M2SiO4基质荧 光粉。

本发明涉及的荧光粉的化学表达式为:M2SiO4,其中M为Zn、Mg、Sr、Ca、 Ba、Mn和Eu中的一种或多种。

具体步骤为:

(1)按照M2SiO4(其中M为Zn、Mg、Sr、Ca、Ba、Mn和Eu中的一种或多 种)化学计量比计算出所需金属硝酸盐、尿素和(C2H5O)4Si的量,其中硝酸盐与 尿素的化学计量摩尔比为1∶1.67。再按照(C2H5O)4Si与SrCl2·6H2O的摩尔比为1∶ x(0<x<1.2),计算出SrCl2·6H2O用量;

(2)按照步骤(1)的计算结果称取所需金属硝酸盐、尿素和SrCl2·6H2O, 将它们混合并在玛瑙研钵中研磨或在混料设备中混合30min使其充分混合,得 到糊状混合物A;将所需的(C2H5O)4Si添加到混合物A中,在研钵中将其充分研 磨或在混料设备中混合60-120min直至得到凝胶B;然后将凝胶B移至550℃ 的马弗炉中,30min后取出并研磨,得到粉末C。将粉末C放入还原气氛炉内, 加热到800-870℃,保温1h,在20%氢气和80%氩气的还原气氛中降到200℃取 出,在研钵内研磨5min得到产物D;最后将产物D在25-100℃去离子水中浸泡 搅拌6小时,过滤后将其在150℃以下烘干到高纯M2SiO4基质荧光粉。

本发明与传统高温固相法相比,有以下优点:

1)合成温度低(800-870℃以下)、时间短(1-2h),大大降低了合成过程 中的能源消耗和设备损耗。产物纯度高,发光性能优良,颗粒粒径在5μm左右, 无需通过球磨减小粒径就可以达到使用的要求。

2)工艺流程简单,易于操作,对合成设备要求低,非常有利于工业化。

附图说明

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