[发明专利]较低温度下制备M2SiO4基质荧光粉的方法有效
申请号: | 200910114408.0 | 申请日: | 2009-09-19 |
公开(公告)号: | CN101671559A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 强耀春;张宝林 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 制备 sub sio 基质 荧光粉 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种较低温度下制备M2SiO4基质荧光粉的方法,属于材料合成技 术领域。
技术背景
M2SiO4基质硅酸盐荧光粉由于具有物理化学性能稳定、耐老化性能优异、光 转化效率高、结晶度高、结晶体透光性好的优点,而被广泛应用于各个光学领 域。在M2SiO4基质中添加少量不同的发光离子(Mn2+,Eu2+等)可以使其有不同的 发光性能。如ZnSiO4:Mn2+绿色荧光粉被广泛应用于CRT,PDP,长余辉显示等领 域;(Ba,Sr,Ca,Mg)2SiO4:Eu2+黄色荧光粉被广泛应用于白光LED照明领域。
目前,M2SiO4(M选自Zn、Mg、Sr、Ca和Ba中的一种或多种元素组合)基质 硅酸盐荧光粉的制备主要采用传统的高温固相法,即将M2CO3,SiO2,助熔剂等 原料充分混合后,在空气中1100-1350℃灼烧1-3h,再在还原气氛中升温至 1100-1350℃,保温3-5h合成。该方法往往需要多次高温灼烧,而且此过程中 容易生成杂相。生产中上述制备过程需要消耗大量能源,对加热设备配置的要 求较高,合成产物一般需要经过破碎、分级等后处理,耗时耗能。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术存在的以上问题,提供一种较低温度下制 备免球磨M2SiO4基质荧光粉的方法。与高温固相法相比,该方法可以在较低温度 (800-870℃)、较短时间(1h)还原气氛中合成出纯度高,发光性能优良,颗 粒粒径在5μm左右,无需通过球磨减小粒径就可以达到使用要求的M2SiO4基质荧 光粉。
本发明涉及的荧光粉的化学表达式为:M2SiO4,其中M为Zn、Mg、Sr、Ca、 Ba、Mn和Eu中的一种或多种。
具体步骤为:
(1)按照M2SiO4(其中M为Zn、Mg、Sr、Ca、Ba、Mn和Eu中的一种或多 种)化学计量比计算出所需金属硝酸盐、尿素和(C2H5O)4Si的量,其中硝酸盐与 尿素的化学计量摩尔比为1∶1.67。再按照(C2H5O)4Si与SrCl2·6H2O的摩尔比为1∶ x(0<x<1.2),计算出SrCl2·6H2O用量;
(2)按照步骤(1)的计算结果称取所需金属硝酸盐、尿素和SrCl2·6H2O, 将它们混合并在玛瑙研钵中研磨或在混料设备中混合30min使其充分混合,得 到糊状混合物A;将所需的(C2H5O)4Si添加到混合物A中,在研钵中将其充分研 磨或在混料设备中混合60-120min直至得到凝胶B;然后将凝胶B移至550℃ 的马弗炉中,30min后取出并研磨,得到粉末C。将粉末C放入还原气氛炉内, 加热到800-870℃,保温1h,在20%氢气和80%氩气的还原气氛中降到200℃取 出,在研钵内研磨5min得到产物D;最后将产物D在25-100℃去离子水中浸泡 搅拌6小时,过滤后将其在150℃以下烘干到高纯M2SiO4基质荧光粉。
本发明与传统高温固相法相比,有以下优点:
1)合成温度低(800-870℃以下)、时间短(1-2h),大大降低了合成过程 中的能源消耗和设备损耗。产物纯度高,发光性能优良,颗粒粒径在5μm左右, 无需通过球磨减小粒径就可以达到使用的要求。
2)工艺流程简单,易于操作,对合成设备要求低,非常有利于工业化。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林理工大学,未经桂林理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910114408.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法