[发明专利]一种高纯纳米氧化铕粉体的制备方法无效
| 申请号： | 200910114824.0 | 申请日： | 2009-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101462761A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈伟凡 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利代理有限公司 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 纳米 氧化 铕粉体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种高纯纳米氧化铕粉体的制备方法，其特征是用一元羧酸溶解高纯碳酸铕或氧化铕或氢氧化铕，形成澄清的羧酸铕溶液，再将澄清的羧酸铕溶液在70～110℃温度下浓缩，冷却，至出现结晶，分离结晶体，然后将晶体烘干，再在700～1100℃温度下煅烧1～4小时。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的一元羧酸为碳原子数大于2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学，未经南昌大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910114824.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
