[发明专利]MOCVD设备内石墨基座的清洗方法

权利要求书

1.一种MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：

煮酸：将石墨基座放入磷酸中煮，至石墨基座表面上的附着物被去除干净后取出，其中，所述煮酸步骤还包括刷去石墨基座表面的附着物；

冲水：用热去离子水清洗煮好的石墨基座，去除石墨基座上的酸性物质；

干燥：干燥石墨基座，至石墨基座上无水份，其中，所述干燥步骤包括用烘烤方式干燥石墨基座。

2.根据权利要求1所述的MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于：在进行所述煮酸步骤后，用吸酸擦酸的物品吸去石墨基座上酸液，再进行所述冲水步骤。

3.根据权利要求1所述的MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于，所述煮酸步骤包括：将石墨基座放入磷酸中煮一段时间，然后取出刷石墨基座，将石墨基座上的部分附着物去掉，再放入磷酸中继续煮。

4.根据权利要求1所述的MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于：所述冲水步骤包括荡洗和冲洗步骤；其中荡洗步骤包括：

对石墨基座的正面和反面进行荡洗，然后用吸酸擦酸的物品对石墨基座进行拭擦，再继续荡洗。

5.根据权利要求4所述的MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于，所述荡洗步骤包括：

先依次将石墨基座的正面、反面、再正面荡洗一遍，重复上述过程5遍；然后用吸酸擦酸的物品对石墨基座进行拭擦；再荡洗一遍。

6.根据权利要求4所述的MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于，所述冲洗步骤包括：将荡洗好的石墨基座放入冲水槽中，用热去离子水冲洗，且冲洗过程中需要取出荡洗擦吸。

7.根据权利要求4或5所述的MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于：所述吸酸擦酸的物品是脱脂棉花、化学品吸附棉、无尘纸中任一种。

8.根据权利要求1所述的MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于：所述干燥步骤包括先将石墨基座吹干，再进行烘烤。

9.根据权利要求4所述的MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于：所述荡洗的水温为55摄氏度～65摄氏度，所述冲洗的水温为70摄氏度～100摄氏度。

10.根据权利要求1所述的MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于：所述煮酸的温度在80摄氏度～150摄氏度；所述烘烤的温度在60摄氏度～180摄氏度。