[发明专利]一片硅片制造一个以上太阳电池的方法

说明书

技术领域：本发明涉及太阳能光伏技术中太阳电池的制造方法，特别是一种一片硅片制造一个以上太阳电池的方法。

背景技术：现有太阳电池的制造方法是在一片多晶硅片或单晶硅片(以下简称硅片)上经过清洗制绒-高温磷扩散-等离子体刻蚀-除去磷硅玻璃-PECVD镀膜工序后，再用丝网印刷的方法将太阳电池背电极图案的银铝浆(或银浆)、太阳电池背电场图案的铝浆、太阳电池正电极图案的银浆依次印制在硅片扩散层的背面或正面并经烘干(温度200-300℃)，再将硅片在750-940℃下快速烧结(时间为1至3秒)即成成品。现有方法在使用中存在的不足是：1、效率较低，尤其当加工的每片硅片的面积很小时，情况更是如此，因为每一硅片所流经的工序都相同，在每一工序大小硅片所耗的时间相差不多，若以单位时间加工硅片的面积来评价加工的效率，则硅片越小，效率越低，反之，硅片越大，效率越高；2、在太阳电池的生产中，有一习惯性思维，即一硅片就制作该硅片面积相同的太阳电池，在该习惯性思维的影响下，不少蹦边缺角或局部有缺陷的硅片则都作为废料或丢弃或回炉，没能得到很好的利用。

发明内容：本发明的目的在于针对现有太阳电池制造方法在使用中存在的不足，而提出一种加工效率高，充分利用蹦边缺角或局部有缺陷硅片的一片硅片制造一个以上太阳电池的方法。

通过下述技术方案可实现本发明的目的，一种一片硅片制造一个以上太阳电池的方法，包括将一硅片经过清洗制绒-高温磷扩散-等离子体刻蚀-除去磷硅玻璃-PECVD镀膜工序处理，其特征在于还包括：

(1)、用丝网印刷的方法将一个以上的太阳电池背电极图案的银铝浆(或银浆)印制在前述硅片扩散层的背面，然后在温度200-300℃的条件下烘干；

(2)、用丝网印刷的方法将一个以上与前述背电极图案相对应的太阳电池背电场图案的铝浆印制在前述硅片扩散层的背面，背电场图案必须与前述背电极图案相连而且暴露出大部分背电极图案，然后在温度200-300℃的条件下烘干；

(3)、用丝网印刷的方法将一个以上与前述背电极图案相对应的太阳电池正电极图案的银浆印制在硅片扩散层的正面，然后在温度200-300℃的条件下烘干；

(4)、将印刷好上述三种图案的前述硅片在750-940℃条件下快速烧结(时间为1至3秒)。

(5)、将烧结后冷却至常温的前述硅片，用激光按照前述硅片上的图案切割成一个以上对应的单个太阳电池。

在对蹦边缺角或局部有缺陷硅片布局印制上述图案时，在避让硅片上的蹦边缺角或缺陷的基础上采取图案最大化设计。

本发明的效果在于：1、可提高制造太阳电池的生产效率，这主要在于可将现有的多片(一片以上)硅片所制作的太阳电池集合布置到本发明中的一片硅片上，经过多工序的流程加工，最后经激光切割成一个以上的单个太阳电池，显然，这一片硅片经过各工序的加工时间要大大小于现有多片硅片的每片硅片加工时间的叠加，所以可较大幅度的提高制造太阳电池的生产效率；2、可充分利用生产中产生的蹦边缺角或局部有缺陷硅片，可避免这些硅片因丢弃所产生的浪费及环境的污染或因回炉所产生的能源消耗及人力资源的消耗等，可为企业降低生产成本，提高产品的竞争力。

下面结合附图及实施例对本发明进一步阐述：

附图说明：

附图1为本发明实施例1太阳电池背电极银铝浆的图案；

附图2为本发明实施例1太阳电池背电场铝浆的图案；

附图3为本发明实施例1太阳电池正电极银浆的图案；

附图4为本发明实施例1太阳电池切割前的示意图。

附图5为本发明实施例2太阳电池背电极银铝浆的图案；

附图6为本发明实施例2太阳电池背电场铝浆的图案；

附图7为本发明实施例2太阳电池正电极银浆的图案

附图8为本发明实施例2太阳电池切割前的示意图。

具体实施方式：

实施例1：参见附图1、2、3、4，一种一片硅片制造一个以上太阳电池的方法：选择一片P型多晶硅片1，它的尺寸为156mm×156mm，它的右上角有一缺角2，将硅片1经过清洗制绒-高温磷扩散-等离子体刻蚀-除去磷硅玻璃-PECVD镀膜工序处理，为避开硅片1上的缺角2，并取得最大化的有用面积，将硅片1设计为1个125mm×125mm和2个30mm×125mm规格的太阳电池，并按以下工序进行加工：

(1)、用丝网印刷的方法将1个125mm×125mm和2个30mm×125mm规格的太阳电池背电极图案的银铝浆(或银浆)印制在硅片1扩散层的背面，附图1所示，然后在温度220℃的条件下烘干；