[发明专利]薄膜太阳能电池电极引出的方法有效
申请号: | 200910116079.3 | 申请日: | 2009-01-14 |
公开(公告)号: | CN101527333A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 孙嵩泉;宁海洋;章新良;房如枫;刘海 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张建宏 |
地址: | 233030*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 电极 引出 方法 | ||
技术领域
本发明涉及薄膜太阳能电池的制作技术,具体地说是一种将薄膜太阳能电池电极引出的方法。
背景技术
薄膜太阳能电池的电极引出若使用单独的金属背电极作为电极并且直接进行铝镍带引线,由于背电极厚度较薄(<1000nm),电流流经背电极金属膜最后汇集于铝镍带的电阻会非常大,铝膜接触面间损失的有效功率也会非常大,从而使得最终组件输出功率损失严重。为克服上述问题,目前,是通过在正负极上附着铝箔带、铝镍带使电极引出,现有技术中铝箔带、铝镍带与太阳能电池的正、负极的连接所采用的手段为超声波连续点焊,这种连续点焊即使在焊接频率较高的情况下,也容易出现部分焊点间虚焊、焊不牢的情况,从而会造成电池与引线间串联电阻增大;再者,由于点焊工艺本身是一种至上而下焊头垂直运动焊接的过程,若工艺参数设置不当或存在不稳定性,则很容易对及电池片造成焊透的现象,最终不仅破坏外观,而且会对电池组件后续封装如层压等造成严重影响。另外,目前现有的由引线引出电极的工艺,其步骤较复杂,布局杂乱使得不易进行后续操作。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜太阳能电池电极引出的方法,该方法可最大程度地避免虚焊、及透焊现象,进而有效降低电池各电极间的串联电阻,增加电池的输出功率。
为实现上述目的,本发明采用以下方案:薄膜太阳能电池电极引出的方法,包括以下步骤:由超声波滚焊机将两条铝箔带分别焊接在太阳能电池的正、负极上;将绝缘透明带贴附在太阳能电池上且位于两条铝箔带之间,并使其两端分别与两条铝箔带搭接;将两条铝镍带贴附在绝缘透明带上,且每条铝镍带的一端与两条铝箔带中相应的一条相接,另一端作为正负极引线接入在一接线盒的正极或负极上。超声波滚焊机的工作频率为10~100KHz,超声波滚焊机焊头的工作压力为0.1~0.3Mpa,超声波滚焊机焊头工作时的前进速度为2~10cm/s。
由上述方案可见,采用超声波滚焊机将铝箔带与太阳能电池的正、负极焊接,在超声滚焊的过程中,可保证铝箔与太阳能电池的正、负极的连接紧密、可靠,可避免虚焊、及透焊现象。
本发明提供的方法,操作方便、快捷,由该方法加工出的引线效果极佳、外观整齐、且便于后续封装测试等工艺的实施。
附图说明
附图为本发明一实施例所加工的薄膜太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例及附图进一步说明本发明。
结合附图,本实施例对薄膜太阳能电池电极的引出包括以下步骤:
1、由超声波滚焊机1将两条铝箔带2分别焊接在太阳能电池8的正极3、负极7上,超声波滚焊机的工作频率为50KHz,超声波滚焊机焊头的工作压力为0.2Mpa,超声波滚焊机焊头工作时的前进速度为5cm/s;
2、将绝缘透明带4贴附在太阳能电池8上且位于两条铝箔带2之间,并使绝缘透明带4的两端分别与两条铝箔带2搭接,绝缘透明带4为双面胶带,绝缘透明带4垂直于两条铝箔带2、及电池8的正极3、负极7,且绝缘透明带4距电池8顶端的距离约为电池高度的1/5;
3、将两条铝镍带6贴附在绝缘透明带4上,绝缘透明带4上铝镍带6的铝质的一面向下,且每条铝镍带6的一端与两条铝箔带2中相应的一条相接,两根铝镍带6的一端通过超声波点焊机5分别与两条铝箔带2焊接,超声波点焊机的工作频率为30KHz,超声波点焊机焊头的工作压力为0.5Mpa,将两条铝镍带的另一端6a分别作为正、负极引线接入在一接线盒的正、负极上;将接线盒固定在太阳能电池8上,太阳能电池电极的引出则告完成。
另外,铝箔带的厚度为0.01~0.1mm。本实施例中,铝箔带的厚度为0.05mm。
用超声波滚焊焊接铝箔带,其特点是:焊接牢度高、虚焊几率极小、透焊几率极小,焊速快;用超声波点焊焊接铝箔带,其特点是:焊接牢度较高、虚焊几率较大、透焊几率较大,焊速快。
由上述比较可以看出,本发明采用超声波滚焊焊接铝箔带,其优点远大于用超声波点焊焊接铝箔带。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的