[发明专利]离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法

权利要求书

1、离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)利用等离子体辅助下氧与碳氢再沉积层发生化学反应的方法：在磁约束装置第一壁壁温为400～470K的情况下，对真空室充入氧气或者充入含10-90％氦气的氦氧混合气体，使用脉冲离子回旋波注入真空室放电激发产生氧等离子体，实现第一壁碳氢再沉积层的清除，从而有效地清除滞留在装置第一壁上的氢滞留；(2)氧等离子体对第一壁的处理结束后，向真空室通入氦或者氘气，使用脉冲离子回旋波注入真空室放电激发产生氦或者氘等离子体，对第一壁清洗，清除在第一壁滞留的氧，并采用离子回旋硼化技术抑制氧的水平，实现等离子体快速恢复。

2、根据权利要求1所述的离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法，其特征在于：利用磁约束装置内烘烤系统，将第一壁烘烤到400～470K；对真空室充入氦和氧混合气体的比例为10％氧和90％氦。

3、根据权利要求1所述的离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法，其特征在于：所述的使用脉冲离子回旋波注入真空室放电激发产生氧等离子体，是使用离子回旋天线，采用10-40kW脉冲离子回旋波，其频率为30MHZ，氧等离子体压强为0.01-0.1Pa，纵向磁场保持在1.5-2.0T；一秒钟接通并断开一秒钟的脉冲离子回旋波注入真空室，氧等离子体中的离子将对第一壁进行有效的轰击和相互作用，在经过1-2小时的放电清洗后，达到对第一壁再沉积层清除的作用，同时清除再沉积层中氢同位素。

4、根据权利要求1所述的离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法，其特征在于：氧等离子体对第一壁的处理结束后，使用脉冲离子回旋波注入真空室放电激发产生氦或者氘等离子体，其脉冲离子回旋波功率为10-20kW，频率为30MHZ，氦或氘等离子体压强为0.05-0.1Pa，纵向磁场保持在1.5-2.0T，经过1-2小时的放电清洗。

5、根据权利要求1所述的离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法，其特征在于：采用离子回旋硼化技术抑制氧的水平，实现等离子体快速恢复，硼化材料为C₂B₁₀H₁₂，离子回旋波功率为10-20kW，频率为30MHZ，纵向磁场保持在1.5-2.0T。