[发明专利]一种阴离子电解质膜及其制备方法

权利要求书

1.一种阴离子电解质膜，是以PVBCl为基底，通过交联反应嫁接上导电基团OHˉ的离子膜，其比表面积为20–300 m²/g，膜中阴离子交换容量0.008–0.01 mol/g，所用交联剂为N(CH₃)₂-(CH₂)_n-N(CH₃)₂类化合物，n=1–6。

2.一种阴离子电解质膜的制备方法，采用L-S成膜法，即相转化制膜法，制备步骤为：

1）用酯类有机溶剂溶解聚合物PVBCl，至溶液清澈透明为止，形成铸膜液；

2）铸膜液中加入交联剂，摇匀放置，至充分交联, 所述交联剂为N(CH₃)₂-(CH₂)_n-N(CH₃)₂类化合物，n=1–6；

3) 将已准备好的载玻片置于水平桌面上，倒出上步溶液使其流延平铺于载玻片上，让溶剂充分挥发成膜；或用提拉机成膜；或用旋转制模仪成膜；或用刮刀成膜；

4) 将膜放入KOH水溶液中。

3.如权利要求2所述的阴离子电解质膜的制备方法，其特征在于所述酯类有机溶剂是乙酸乙酯、乙酸丁酯或乙酸异辛酯。

4.如权利要求2所述的阴离子电解质膜的制备方法，其特征在于所述交联剂的加入量为铸膜液重量的0.5–10 wt%，交联时间为10分钟至48小时，温度为10–50℃。

5.如权利要求2所述的阴离子电解质膜的制备方法，其特征在于所述铸膜液的重量浓度为5–60 wt%。

6.如权利要求2所述的阴离子电解质膜的制备方法，其特征在于所述KOH水溶液的浓度为0.5–30 mol/L；离子交换时间为12小时；交换容量稳定在0.008–0.016 mol/g。