[发明专利]机械密封用自适应类石墨碳基薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910117690.8 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102093081A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王立平;薛群基;王永欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85;C23C14/35 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 机械 密封 自适应 石墨 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种机械密封用自适应类石墨碳基薄膜材料，依次由基体材料、厚度为0.1～0.2微米的底层粘接层和厚度为1.5～2.5微米的类石墨碳表层构成；所述的基体材料选自硬质合金、碳化硅和氮化硅陶瓷中的一种，所述的底层粘接层为Ti或Si；所述的类石墨碳表层中的类石墨的C-C结构中的sp2键含量为60～80％，属于典型的无氢类石墨碳结构。
2.如权利要求1所述的涂层的制备方法，其特征在于该方法步骤为：(1)等离子溅射清洗基材，将基体材料置于磁控溅射气相沉积系统中，进行氩等离子体溅射清洗，氩气气体流量为50～70sccm，偏压为800～1000V，处理时间为30～40min；(2)磁控溅射沉积Ti或Si粘接层，金属Ti靶或Si靶为阴极，工作气体为氩气，控制电源功率为300～500W，偏压为-300V，处理时间为30～50min；(3)磁控溅射沉积类石墨碳膜，沉积过程中，真空室的本底真空为5×10-4Pa，放电气压为0.5Pa，高纯石墨靶为阴极，靶电流为1～1.2A，底材施加偏压300～500V，沉积时间120～150min，最后在基体材料表面获得高硬度自适应类石墨碳基薄膜材料。
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