[发明专利]功率模块有效

专利信息
申请号: 200910117979.X 申请日: 2009-02-27
公开(公告)号: CN101552264A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: R·奇尔布斯;R·斯潘克 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/02;H01L21/50;H05K5/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 彭 武
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 功率 模块
【权利要求书】:

1.一种包含壳体的功率半导体模块,其中所述壳体包含:

罩壳和至少一个高耐表面起痕性的涂层;以及

多个电导体,其设置在所述壳体上,所述涂层设置在所述电导体之间的爬电距离上。

2.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,所述涂层仅部分地覆盖所述罩壳。

3.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,所述涂层与所述罩壳的外表面接触或者结合到所述罩壳的外表面。

4.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,所述涂层与所述罩壳的内表面接触或者结合到所述罩壳的内表面。

5.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,层附连到所述罩壳,所述层相对于周围材料为化学惰性的。

6.根据权利要求5的功率半导体模块,其特征在于,所述层附连到所述罩壳的内表面,所述层相对于位于所述罩壳中的绝缘复合物为化学惰性的。

7.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,层附连到所述罩壳的内表面,所述层对于周围材料为化学惰性的并且是导电的。

8.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,所述涂层和所述罩壳为物理上分开的部件。

9.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,所述电导体包含一个或多个散热器、一个或多个电端子、一个或多个高电压的主触点和/或一个或多个辅助触点。

10.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,该模块包含底板,所述壳体安装在所述底板的第一表面上,至少一个基片安装在所述底板的第一表面上并且被定位在所述壳体内,并且至少一个半导体芯片安装在所述基片上。

11.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,所述涂层包含第一表面和第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对置地定位。

12.根据权利要求11的功率半导体模块,其特征在于,所述涂层包含在所述涂层的第一表面上的突起,所述涂层的第一表面设置在电导体之间的爬电距离上。

13.根据权利要求12的功率半导体模块,其特征在于,所述涂层的第二表面与所述罩壳的外表面接触,其中所述涂层的第二表面包含多个第一凹槽,所述多个第一凹槽与所述罩壳的外表面的多个第二凹槽互相扣住。

14.根据权利要求1的功率半导体模块,其特征在于,所述涂层包含由塑料注射模制工艺所形成的层。

15.根据权利要求8的功率半导体模块,其特征在于,所述罩壳包含结合到底板或散热器上的多个壁,并且所述多个壁形成包围安置于所述底板或散热器上的至少一个基片的框架,所述框架具有延伸到基片之间的间隔内的至少一个凸缘。

16.根据权利要求8的功率半导体模块,其特征在于,所述罩壳包含结合到底板或散热器上的多个壁,并且所述多个壁形成包围着安置于所述底板或散热器上的至少一个基片的框架,所述框架由包含陶瓷的绝缘材料制成。

17.根据权利要求8的功率半导体模块,其特征在于,所述罩壳包含结合到底板或散热器上的多个壁,所述多个壁形成包围着安置于所述底板或散热器上的至少一个基片的框架,所述框架形成用绝缘复合物填充的封装并且所述绝缘复合物包含硅胶。

18.根据权利要求8的功率半导体模块,其特征在于,该所述罩壳包含结合到底板或散热器上的多个壁,所述多个壁形成包围着安置于所述底板或散热器上的至少一个基片的框架,所述框架形成用绝缘复合物填充的封装,并且用于所述框架的绝缘材料相对于所述绝缘复合物以及相对于安装在所述基片上并由所述框架包围的半导体芯片是化学惰性的。

19.根据一种用于制作功率半导体模块的方法,包含以下步骤:

提供壳体;

在该壳体上提供多个电导体;

在电导体之间的爬电距离上设置至少一个高耐表面起痕性的涂层。

20.根据权利要求19的方法,其特征在于,设置至少一个涂层的步骤包含在所述壳体上设置所述电导体之前设置至少一个涂层。

21.根据权利要求19的方法,其特征在于,设置至少一个涂层的步骤包含在所述壳体上设置所述电导体之后设置至少一个涂层。

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