[发明专利]铁含量低的喷涂Si-或Si∶Al-靶

权利要求书

1.一种用于溅射含硅膜的旋转溅射靶，包括：

含硅溅射材料层(104)以及

载体，用于承载所述溅射材料层，其中，所述溅射材料层包含低于200ppm的铁。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述溅射材料层包含低于30ppm的铁。

3.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述溅射材料层包含0ppm和20ppm之间的铁。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，其中，所述溅射材料层包含15wt-％以下的铝。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，其中，所述溅射材料层是喷涂的含硅层，尤其是热喷涂诸如等离子体喷涂的含硅层。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，其中，所述溅射材料层具有5mm至30mm的厚度。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，其中，所述载体包括以下各项组成的组中的材料：钛、不锈钢、铜、铝或者它们的混合物。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，其中，所述载体由导电材料尤其是导电而非导磁的材料组成。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，其中，所述载体具有圆柱形状。

10.一种溅射设备，用于在衬底上溅射含硅层，所述溅射设备包括：

根据权利要求1至9中任一项所述的溅射靶。

11.一种溅射设备，用于在衬底上溅射含硅层，所述溅射设备包括：

旋转溅射靶，用于溅射含硅膜，包括：

含硅溅射材料层；以及

载体，用于承载所述溅射材料层，其中，所述溅射材料层包含低于200ppm的铁。

12.使用根据权利要求1至9中任一项所述的用于沉积含硅膜的溅射靶，其中，所述溅射靶用于在制造单晶太阳能电池的衬底上制造含硅层。

13.使用用于溅射含硅膜以沉积含硅膜的旋转溅射靶，所述旋转溅射靶包括：

含硅溅射材料层：以及

载体，用于承载所述溅射材料层，其中，所述溅射材料层包含2低于200ppm的铁；

其中，所述溅射靶用于在制造单晶太阳能电池的衬底上制造含硅层。

14.一种制造含硅旋转溅射靶的方法，包括：

提供载体；

提供具有铁含量为200ppm或者以下的含硅粉末；

喷涂所述含硅粉末以在所述载体上沉积含硅材料。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述含硅粉末包含低于30ppm的铁，尤其是0.5ppm和20ppm之间的铁。

16.根据权利要求14至15中任一项所述的方法，其中，喷涂是热喷涂，尤其是等离子体喷涂。

17.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中，所述含硅粉末用无铁部件制造。

18.根据权利要求14至17中任一项所述的方法，其中，用溶铁剂处理所述含硅层，以将所述铁含量减小到200ppm或者以下。

19.根据权利要求14至18中任一项所述的方法，其中，以磁性的方式处理所述含硅粉末，以将所述铁含量减小到200ppm或者以下。

20.根据权利要求14至19中任一项所述的方法，其中，所述载体具有适于在所述含硅粉末喷涂之后提供靶的最终形状的形状。