[发明专利]光刻设备和方法有效

专利信息
申请号: 200910118242.X 申请日: 2009-03-03
公开(公告)号: CN101526756A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 凯恩·基维特斯;汉斯·詹森;瓦斯科·米谷埃尔·马蒂阿斯·萨拉奥 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种清洁在光刻设备中的衬底台或位于衬底台上的物体的顶部表面的区域的方法,所述方法包括步骤:

在所述区域和所述光刻设备的光学系统的最终元件之间提供液体,其中光学系统在正常操作中用于产生图案化的辐射束并投影图案化的辐射束到衬底上;和

用所述光学系统将清洁辐射束穿过所述液体投影到所述区域上;

其中所述投影步骤包括调整所述光学系统以相对于所述图案化的辐射束限制投射到所述区域上的所述清洁辐射束的横截面面积,

其中所述调整所述光学系统的步骤包括调整孔的尺寸和/或形状,其中在衬底成像过程中在所述图案化的辐射束通过掩模之前所述图案化的辐射束通过所述孔。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述调整步骤包括将掩模放置在所述光学系统中。

3.如权利要求1所述的方法,其中所述光学系统包括照射系统和投影系统,并且其中所述调整步骤发生在所述照射系统前的光学路径上、在所述照射系统中、在所述照射系统和所述投影系统之间、在所述投影系统中或所述投影系统之后。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述清洁辐射束基本上是未图案化的。

5.如权利要求1所述的方法,其中所述清洁辐射束包括具有基本上大约193nm波长的辐射。

6.如权利要求1所述的方法,其中通过所述清洁辐射束将至少25J/cm2的剂量施加到所述受限制的区域。

7.如权利要求1所述的方法,其中所述区域位于所述物体上。

8.如权利要求7所述的方法,其中所述物体是传感器。

9.如权利要求8所述的方法,其中在进行清洁期间所述传感器是不运行的。

10.如权利要求8所述的方法,其中所述物体包括TIS传感器、ILIAS传感器和/或点传感器。

11.如权利要求7所述的方法,其中所述物体是闭合的圆盘。

12.如权利要求1所述的方法,其中所述清洁在衬底存在于衬底台上时进行。

13.如权利要求8所述的方法,其中所述区域包括用于调平的对准标记、用于对准掩模的对准标记、用于路线对准的对准标记和用于精细定位的对准标记中的至少一个。

14.一种光刻投影设备,其包括:

用于保持衬底的衬底台;

用于将图案化的辐射束投影到衬底上的光学系统;和

用于根据权利要求1所述的方法控制所述设备的控制器。

15.如权利要求14所述的设备,其中所述衬底台的顶部表面包括紫外敏感涂层。

16.如权利要求15所述的设备,还包括至少一个位于所述衬底台上的传感器,其中所述控制器控制所述传感器的清洁,而不将所述清洁辐射束投射到所述紫外敏感涂层。

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