[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别是涉及具有半导体芯片和树脂密封部 的半导体装置。

背景技术

作为逆变器(inverter)用途的半导体装置，有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)和续流二极管(Free Wheel Diode) 等的通过模塑树脂和绝缘片将多个半导体元件密封的功率模块。例如在 日本专利申请公开2006-319084号公报中公开了一种这样的功率模块。

此外，作为被树脂密封的半导体装置的小型化技术，例如有在日本 专利申请公开2003-007966号公报中公开的技术。根据该技术，半导体装 置具备：散热衬底；配置在散热衬底上的半导体元件；各自的一端与该 半导体元件的主电极电连接的多个主电极板；对散热衬底、半导体元件、 以及多个主电极板进行树脂密封的树脂封装件。多个主电极板的每一个 的另一端在树脂封装件的上表面侧向外部露出。树脂封装件通过模塑成 形而整体地形成。

在上述日本专利申请公开2003-007966号公报的技术中，由于半导体 芯片表面的电极和主电极板通过引线接合而连接，所以必须确保引线接 合所需要的区域，存在半导体装置的进一步小型化困难的问题。此外， 为了将主电极从半导体芯片表面正上方的树脂封装件面(上表面侧)取 出，需要特殊的模具，存在招致制品成本上升的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于比较廉价地提供一种能够进一步小型化的 半导体装置。

本发明的半导体装置具有：半导体芯片；导电部；密封树脂部；电 极。半导体芯片具有主面。导电部设置在主面上，并且由具有导电性和 延展性的材料构成。密封树脂部具有与主面正对的表面。电极设置在导 电部上，并且在导电部和表面之间贯通密封树脂部。

本发明的半导体装置的制造方法，具有以下工序：

首先准备具有主面的半导体芯片。在该主面上，形成由具有导电性 和延展性的材料构成的导电部。将形成了该导电部的半导体芯片配置在 模具内。模具具有：相对于主面空出间隔而相向的内面；和以按压导电 部的方式从内面突起的突起部。通过在模具内填充树脂后除去模具，形 成密封树脂部，该密封树脂部具有：与主面正对的表面；和贯通导电部 和表面之间的开口部。

根据本发明的半导体装置，

因为能够在半导体芯片的主面上的区域中设置电极，所以能够使半 导体装置小型化。

此外因为导电部设置在半导体芯片的主面上，所以在平面设计中除 了半导体芯片的区域以外不需要确保用于设置导电部的区域。因此能够 进一步使半导体装置小型化。

本发明的上述和其它的目的、特征、方面、以及优点，通过与附图 相关地理解的关于本发明的下面的详细的说明就能清楚了。

附图说明

图1是概略地表示本发明的实施方式1的半导体装置的结构的剖面 图。

图2是概略地表示本发明的实施方式1的半导体装置的结构的平面 图。

图3是与在未图示模塑树脂的情况下的图2对应的图

图4是概略地表示本发明的实施方式1的半导体装置的电路结构的 图。

图5是概略地表示本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的 第一工序的平面图。

图6～图9是概略地顺序地表示本发明的实施方式1中的半导体装置 的制造方法的第一～第四工序的剖面图。

图10是概略地表示比较例的半导体装置的结构的剖面图。

图11是概略地表示本发明的实施方式2的半导体装置的结构的平面 图。

图12是沿图11的XII-XII线的剖面图。

图13是概略地表示本发明的实施方式3的半导体装置的结构的剖面 图。

具体实施方式

下面，基于附图对本发明的实施方式进行说明。

实施方式1

首先，使用图1～图4对本实施方式的半导体装置的结构进行说明。 再有，图2和图3的各自的I-I线表示图1的剖面位置。