[发明专利]显示装置及电子设备

说明书

相关申请的交叉引用

本发明包含与2008年3月3日在日本专利局递交的日本专利申请JP 2008-052136相关的主题，该日本专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及带有具有适合于使产生的光谐振的谐振结构的显示区的 显示装置，更具体地，涉及使用有机电致发光元件的具有高的光取出效率 的顶部发光显示装置以及使用该顶部发光显示装置的电子设备。

背景技术

目前有机电场发光元件正在引起关注。这些元件在其阳极和阴极之间 具有有机层。该有机层包括逐一堆叠的有机空穴传输层和有机发光层。另 一方面，这些元件具有包括由于吸湿性而导致的、以减小的发光照度和不 稳定的发光为代表的长期稳定性低的缺点。因此，在使用有机电场发光元 件的显示装置中，用保护膜覆盖所述元件以防止水分接触它们。

因此，根据此观点，使用例如氮化氧化硅膜(silicon oxide nitride film) 或氮化硅膜来作为适合于覆盖有机电场发光元件的保护膜。氮化氧化硅膜 折射率低且透射率高，这是非常有利的装置特性。但是，该膜耐湿性差。 因此，必须将该膜形成得相当厚。然而，形成厚的膜导致了增大的内应力， 从而使得该膜剥离阴极电极或在该膜中产生微裂纹。这导致了矛盾，即， 有机电场发光元件的特性和耐湿性的降低。

另一方面，对于氮化硅而言，已经提出了等离子体CVD(化学气相 沉积)方法，其中只使用硅烷和氮气作为源气，而不使用氨气。由此形成 的由氮化硅膜形成的保护膜无裂纹并且不会剥离，因此确保了有机电场发 光元件的稳定操作(例如，参照日本专利公开2000-223264)。

对于使用硅烷的膜形成方法而言，氮气和氢气是源气，另一方面，已 经提出了三层的结构，以提供保护膜中的减少的残余应力并由此防止膜剥 离。可以通过改变氮气浓度以控制膜厚度来形成包括介于低密度氮化硅膜 之间的高密度氮化硅膜的三层结构(例如，参照日本专利公开 2004-63304)。但是，这些方法导致了保护膜的降低的透射率。特别是对 于蓝光波长(约450nm)而言，这导致了严重降低的透射率，由此导致 了降低的色彩再现性。为此，已经提出了另一方法，其中使用氨气来形成 具有改善的透射率和优良的覆盖的膜(例如，参照日本专利公开 2007-184251，在下文中称为专利文献3)。

发明内容

然而，专利文献3中公开的方法尽管提供了保护膜的优良的耐湿性， 但却导致了高折射率(例如1.85至1.91)。因此，在与上覆的树脂层之间 的界面上发生反射。如果膜厚度减小，则由于保护膜的膜厚度分布，该反 射连同薄膜干涉一起导致了跨表面取出的光的色度和照度的偏差。这使得 不可能保证足够的处理容限。因此，必须增大膜厚度以产生多重干涉，以 消除由于膜厚度分布导致的色度偏差。另一方面，增大膜厚度需承担增大 的生产节拍时间(tact time)和成本。此外，与减小膜厚度相比，增大膜 厚度导致了保护膜的更低的透射率。特别地，针对蓝光波长(约450nm) 的透射率将会严重降低，由此导致了降低的色彩再现性。

本实施例为一种显示装置，其包括：具有适合于使产生的光谐振的谐 振结构的显示区，形成用以覆盖该显示区的保护膜，在保护膜上形成的树 脂层，通过树脂层附着的密封层。保护膜包括单个氮化硅层。保护膜具有 在450nm的波长时的介于1.65与1.75之间的折射率。本实施例还涉及 一种电子设备，该电子设备在其主体壳体内具有所述显示装置。

特别地，在本实施例中使用的保护膜是使用硅烷、氨气和氮气通过化 学气相沉积形成的。该膜包括逐一堆叠的低折射率氮化硅膜。该保护膜在 厚度上介于100nm与1μm之间。因此，在该保护膜中几乎不存在应力。

因此，使得该保护膜的折射率更接近于树脂层的折射率，从而即使该 保护膜被减小厚度也能提供较长的干涉波长。这消除了由于膜厚度分布而 导致的、跨表面取出的光的色移。