[发明专利]在结构的电化学制造期间保持层的平行度和/或实现所期望层厚度的方法和装置无效
申请号: | 200910118608.3 | 申请日: | 2005-01-03 |
公开(公告)号: | CN101515549A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | A·H·库马尔;A·L·科恩;M·S·洛卡德 | 申请(专利权)人: | 微制造公司 |
主分类号: | H01L21/4763 | 分类号: | H01L21/4763;H01L21/288;H01L21/304;H01L21/463;C25D5/02;B24B53/00 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程 伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 电化学 制造 期间 保持 平行 实现 期望 厚度 方法 装置 | ||
1.一种用于形成多层三维结构的制造工艺,包括:
(a)形成并粘附材料层至事先形成的层和/或衬底,其中该层包括希望图案的至少一种材料;
(b)对该至少一种材料进行平坦化操作,包括:
(i)经由多孔真空吸盘将衬底安装到精研固定设备;
(ii)当将衬底安装到固定设备上时,对沉积的材料进行精研操作以平坦化材料表面并使得沉积材料的高度达到希望值;
(c)重复操作(a)的形成及粘附一次或多次,以由多个粘附的层形成三维结构。
2.一种用于形成多层三维结构的制造工艺,包括:
(a)形成并粘附材料层至事先形成的层和/或衬底,其中该层包括希望图案的至少一种材料,其中一个或多个接触垫存在于衬底上或事先形成的层上;
(b)对该至少一种材料进行平坦化操作,包括:
(i)经由多孔真空吸盘将衬底安装至精研固定设备;
(ii)当将衬底安装置固定设备上时,对沉积的材料进行精研操作以平坦化材料表面并使得沉积材料的高度达到希望值;
(c)重复操作(a)的形成及粘附一次或多次,以由多个粘附的层形成三维结构。
3.一种用于形成多层三维结构的制造工艺,包括:
(a)形成并粘附材料层至事先形成的层和/或衬底,其中该层包括希望图案的至少一种材料,其中一个或多个接触垫存在于衬底上或事先形成的层上;
(b)对该至少一种材料进行平坦化操作;
(c)对该至少一种材料进行检查以确定相对于希望参考的沉积物高度、沉积物的平坦度和相对于希望参考的沉积物取向中的至少两个;
(d)重复操作(a)的形成及粘附一次或多次以由多个粘附的层形成三维结构。
4.一种用于形成多层三维结构的制造工艺,包括:
(a)形成并粘附材料层至事先形成的层和/或衬底,其中该层包括希望图案的至少一种材料,其中一个或多个参考垫存在于衬底上或事先形成的层上,该参考垫可用于确定平坦化的沉积材料的沉积高度、平坦化的材料的平坦度和/或平坦化的材料的取向中的至少一个;
(b)重复操作(a)的形成及粘附一次或多次,以由多个粘附的层形成三维结构。
5.根据权利要求1-4中任一项的工艺,其中材料层的形成及粘附包括第一材料的选择性沉积、第二材料的毯覆式沉积。
6.根据权利要求1-4中任一项的工艺,其中材料层的形成及粘附包括第一材料的选择性沉积、第二材料的毯覆式沉积,且其中第一和第二材料中的至少一个是通过电镀操作沉积的。
7.根据权利要求1-4中任一项的工艺,其中平坦化操作包括精研操作。
8.根据权利要求1-4中任一项的工艺,其中平坦化操作包括金刚石加工操作。
9.一种用于形成多层三维结构的制造工艺,包括:
(a)形成并粘附材料层至事先形成的层和/或衬底,其中该层包括希望图案的至少一种材料:
(b)对该至少一种材料进行平坦化操作,包括:
(i)将衬底安装至飞刀切削机器中的固定设备;
(ii)当将衬底安装至固定设备时,将沉积的材料置于旋转切削工具中以平坦化材料表面并使得沉积材料的高度达到希望值;
(c)重复操作(a)的形成及粘附一次或多次,以由多个粘附的层形成三维结构。
10.一种用于形成多层三维结构的制造工艺,包括:
(a)形成并粘附材料层至事先形成的层和/或衬底,其中该层包括希望图案的至少一种材料,其中一个或多个接触垫存在于衬底上或事先形成的层上;
(b)对该至少一种材料进行平坦化操作,包括:
(i)将衬底安装至飞刀切削机器中的固定设备,其中该固定设备具有相对于飞刀切削机器的切削平面调整衬底平面的能力;
(ii)调整衬底平面,以与在飞刀切削机器上的切削平面相匹配;和然后
(iii)当将衬底安装至固定设备时,将沉积的材料置于旋转切削工具中以平坦化材料表面,使得沉积材料的高度达到希望值;
(c)重复操作(a)的形成及粘附一次或多次,以由多个粘附的层形成三维结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微制造公司,未经微制造公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910118608.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造