[发明专利]透明电极被覆基板的水分去除方法

说明书

技术领域

本发明涉及透明电极被覆基板的水分去除方法。

背景技术

透明电极应用于薄膜太阳能电池(thin film solar cell)、薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display；TFT LCD)、有机电激发光(OrganicElectro Luminescence；OEL)元件、发光二极管(Light Emitting Diode；LED)和激光二极管(Laser Diode；LD)等元件的制造。

透明电极被覆基板上，在制造上述例举的各元件时，根据需要对透明电极进行刻槽。刻槽时伴随着蚀刻过程，这时蚀刻附随物会污染透明电极和基板。这种污染大大降低元件的特性，因此，蚀刻后将对透明电极和基板进行洗净。通常情况下，广泛应用利用去离子水(deionized water)的湿式(wet)洗净方法。

上述例举的元件中以薄膜太阳能电池为例，在太阳能电池生产线上，在透明电极被覆玻璃基板上层压晶硅薄膜之前，必须进行去除透明电极或者基板表面上存在的蚀刻附随物颗粒(particle)的湿式洗净工序。

这时候，通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)方法被覆的透明电极是多晶(polycrystalline)薄膜，具有其表面或者结晶的晶粒间容易吸着水分的结构。因此，在洗净过程中使用的去离子水吸着在透明电极的表面或者结晶的晶粒间。

如果透明电极或者基板上残存去离子水等水分，则在为形成上述例举的元件而在透明电极或者基板上层压薄膜时，薄膜之间的粘着性(adhesion)会下降。因此，经常发生层压在透明电极或者基板上的薄膜从透明电极或者基板脱落(peel off)的现象。这直接关系到上述例举的元件的特性和产量。

特别是，上述例举的元件中以薄膜太阳能电池为例，残留在透明电极的水分扩散到透明电极的薄膜被覆晶硅层，导致开路电压(open-circuit voltage)下降，成为降低光电转换效率(conversion efficiency)的原因。因此，去除残存于透明电极或者基板上的水分对于制造高效率和高产量的薄膜太阳能电池时尤为重要。

另外，以有机电激发光元件为例，发生形成发光层的有机膜层被残存于透明电极或者基板上的水分劣化的现象，这可能会导致缩短有机发光显示器的寿命或者降低发光效率。

因此，对于使用透明电极的薄膜元件来说，去除残存于透明电极或者基板上的水分，对提高薄膜元件特性很重要。

发明内容

本发明的透明电极被覆基板的水分去除方法，包括：将透明电极被覆基板放入红外线炉的阶段；在上述红外线炉内对上述基板进行加热的阶段；将上述基板从上述红外线炉搬出的阶段；将上述基板装载在室内的阶段和降低室内的压力对上述基板进行热处理的阶段。

上述红外线炉内的温度可以为120℃至200℃。

上述红外线炉内的温度可以为150℃至200℃。

上述室内的压力可以降低到10^-7Torr至10^-3Torr。

上述室内的温度可以为150℃至200℃。

上述放入红外线炉的阶段、在上述红外线炉内进行加热的阶段和将上述基板从上述红外线炉搬出的阶段所需的时间可以为60sec至180sec。

上述室内的热处理时间可以为60sec至180sec。

上述透明电极可以包括氧化锌、氧化锡、氧化铟锌、氧化铟锡之一。

上述透明电极可以被激光划线。

上述基板在红外线炉内可以通过输送机移动。

上述输送机可以由耐热材质做成。

本发明的透明电极被覆基板的水分去除方法，包括：将透明电极被覆基板放入红外线炉的阶段；在上述红外线炉内对上述基板进行加热的阶段；将上述基板从上述红外线炉搬出的阶段；将上述基板装载在室内的阶段；向上述室内流入反应气体的阶段；固定上述室内压力的阶段；和在上述室内利用上述反应气体对上述基板进行热处理的阶段。

上述红外线炉内的温度可以为150℃至200℃。

还可以包括，利用上述反应气体对上述基板进行热处理之后降低室内压力的阶段。

装载上述基板的上述室内的压力可以为10^-7Torr至10^-3Torr。

可以将上述室内的压力降低到10^-7Torr至10^-3Torr。