[发明专利]1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910119057.2 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101505034A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 于理科;徐波;王占国;金鹏;赵昶;张秀兰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 1.02 1.08 微米 波段 ingaas gaas 量子 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点材料的生长方法，其特征在于，步骤包括：
在GaAs衬底上形成GaAs过渡层，厚度为300-500nm，生长温度为600-610℃，然后停顿20-40秒，同时降低温度到480-520℃；
在GaAs过渡层上生长形成InGaAs量子点结构，厚度为5-8ML，首先形成InAs层，厚度为0.7-1.4ML，生长速率0.2-0.5ML/s，温度为480-510℃，停顿1-10秒，然后生长GaAs层，厚度为0.7-1.4ML，生长速率0.2-0.5ML/s，温度为480-510℃，停顿1-10秒；按以上过程循环多次，直至达到总厚度5-8ML为止；
在InGaAs量子点结构上形成GaAs表面保护层，厚度为5-15nm，温度为480-510℃。
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