[发明专利]一种检测正光阻曝光门槛能量的方法

权利要求书

1.一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1，在晶片上涂覆光阻层；

步骤2，用无图形的光罩对该晶片进行能量递进式曝光，以从晶片的一端向另一端曝光能量逐渐减小或增大的方式曝光该晶片，分区化该晶片形成曝光区；

步骤3，将晶片表面按曝光区大小进行分区；

步骤4，按曝光能量递增的方向量测各分区的平均光阻厚度；

步骤5，如果从某一分区开始光阻厚度小于预定值，则判定该光阻的曝光门槛能量为该分区的光阻相对应的曝光能量。

2.根据权利要求1所述的一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，其特征在于在上述步骤4中，分别量测每个分区的中心点位置和边缘位置的光阻厚度值，并求其平均值，作为该分区对应的平均光阻厚度。

3.根据权利要求2所述的一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，其特征在于在上述步骤4中，利用膜厚量测机台量测各分区光阻厚度。

4.根据权利要求1所述的一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，其特征在于在上述步骤5中，通过测量未涂覆光阻层的晶片的厚度，得出的厚度数值即代表无光阻时控片量测的厚度值，即为预定值。

5.根据权利要求4所述的一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，其特征在于上述预订值的测量方式与平均光阻厚度的测量方式相同。

6.根据权利要求1所述的一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，其特征在于在上述步骤5中，上述预定值会根据晶片材质的不同而不同。

7.根据权利要求6所述的一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，其特征在于上述预定值设为50A。

8.根据权利要求1所述的一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，其特征在于上述步骤3中，以长方形或正方形的方式进行分区，边缘位置为分区沿曝光能量逐渐增大的方向的上边缘或下边缘。