[发明专利]面积减小的双实心金属垫有效
申请号: | 200910119325.0 | 申请日: | 2009-03-24 |
公开(公告)号: | CN101740532A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 陈宪伟;刘豫文;蔡豪益;郑心圃;陈英儒 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 马佑平 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面积 减小 实心 金属 | ||
1.集成电路结构,包括:
焊垫;
直接位于该焊垫之下的Mtop垫;
至少有一部分直接位于该Mtop垫之下的Mtop-1垫,其中,该Mtop 垫和该Mtop-1垫中至少一个的水平尺寸小于该焊垫的水平尺寸;
互连该Mtop垫和该Mtop-1垫的多个通孔;以及
该焊垫上的焊球,其中每个该Mtop垫和该Mtop-1垫在所有水平方向 上都有对于该焊球的正外围,
其中,该Mtop垫是实心导电垫,该Mtop-1垫是另一实心导电垫。
2.如权利要求1所述的集成电路结构,其中该外围大于2.4μm。
3.如权利要求1所述的集成电路结构,其中该外围大于4μm。
4.如权利要求1所述的集成电路结构,其中该Mtop垫和该Mtop-1垫 是电气耦合到该焊垫的实心导电垫。
5.如权利要求1所述的集成电路结构,进一步包括:
位于该Mtop垫上方的第一钝化层,其中所述焊垫的至少一部分在所述 第一钝化层中;以及
位于该第一钝化层上方的第二钝化层,其中所述第二钝化层包括暴露 所述焊垫的开口。
6.如权利要求1所述的集成电路结构,进一步包括:
位于该Mtop垫上方的第一钝化层,其中该焊垫位于该第一钝化层上 方;以及
位于该第一钝化层上方的第二钝化层,其中该焊垫在该第二钝化层中。
7.如权利要求6所述的集成电路结构,其中该Mtop垫和该Mtop-1垫 是虚垫,并被电气连接到该焊垫。
8.如权利要求6所述的集成电路结构,其中该Mtop垫和该Mtop-1垫 是虚垫,并与该焊垫电气断开。
9.如权利要求1所述的集成电路结构,其中该Mtop垫的水平尺寸大 于该Mtop-1垫的对应水平尺寸。
10.一种集成电路结构,包括:
焊垫;
键合到该焊垫上的焊球;
附着在该焊球上的导线;
位于该焊垫之下的第一钝化层;
该第一钝化层中的多个第一通孔;以及
该第一钝化层之下的双实心垫,其包括:
通过多个第一通孔电气耦合到该焊垫上的Mtop垫,该Mtop垫是 实心导电垫;
该Mtop垫之下的Mtop-1垫;以及
位于该Mtop垫和该Mtop-1垫之间并互连该Mtop垫和该Mtop-1 垫的多个第二通孔,其中该Mtop-1垫各边以至少上述数值的外围水平 延伸到该焊球对应各边之外,并且该Mtop垫和该Mtop-1垫是虚垫; 其中该Mtop垫和该Mtop-1垫中至少一个的第一水平尺寸小于该焊垫 对应的第二水平尺寸,
该Mtop-1垫是另一实心导电垫,其中该Mtop垫的各边以大于2.4 μm的外围水平延伸到该焊球对应各边之外。
11.如权利要求10所述的集成电路结构,其中该第一水平尺寸小于该 第二水平尺寸的一半。
12.如权利要求10所述的集成电路结构,其中每个该Mtop垫和该 Mtop-1垫至少具有一个小于该焊垫的对应水平尺寸的水平尺寸,或者,其 中该Mtop垫的各边与该Mtop-1垫的对应各边重合。
13.如权利要求10所述的集成电路结构,其中该外围大于4μm。
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