[发明专利]发光元件及发光装置无效

专利信息
申请号: 200910119787.2 申请日: 2004-07-12
公开(公告)号: CN101540376A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 笠间泰彦;表研次 申请(专利权)人: 理想星株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 代理人: 吴小灿;张 涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 装置
【权利要求书】:

1.一种发光元件,其由衬底、在上述衬底上配置的栅极层、在上述栅极层上配置的栅极绝缘层、在上述栅极绝缘层上配置的第一电极、上述栅极绝缘层和在上述第一电极上配置的发光膜、以及在上述发光膜上配置的第二电极构成的发光元件;其特征在于,在上述第一电极的斜上方配置上述第二电极,或者在宽度方向上离开上述第一电极进行配置。

2.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,上述第一电极和上述第二电极的间隔为-5μm~10μm。

3.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,上述第一电极和上述第二电极的间隔为0.5μm~3μm。

4.如权利要求1或3所述的发光元件,其特征在于,上述第一电极为阳极,上述第二电极为阴极。

5.如权利要求1或3所述的发光元件,其特征在于,上述第一电极为阴极,上述第二电极为阳极。

6.如权利要求4所述的发光元件,其特征在于,上述发光膜为由空穴传输层、在上述空穴传输层上配置的发光层、在上述发光层上配置的电子传输层构成的3层膜。

7.如权利要求5所述的发光元件,其特征在于,上述发光膜为由电子传输层、在上述电子传输层上配置的发光层、和在上述发光层上配置的空穴传输层构成的3层膜。

8.如权利要求4所述的发光元件,其特征在于,上述发光膜为由空穴注入层、在上述空穴注入层上配置的空穴传输层、在上述空穴传输层上配置的发光层、和在上述发光层上配置的电子注入层构成的4层膜。

9.如权利要求5所述的发光元件,其特征在于,上述发光膜为由电子注入层、在上述电子注入层上配置的发光层、在上述发光层上配置的空穴传输层、和在上述空穴传输层上配置的空穴注入层构成的4层膜。

10.如权利要求4所述的发光元件,其特征在于,上述发光膜为由空穴注入层、在上述空穴注入层上配置的空穴传输层、在上述空穴传输层上配置的发光层、在上述发光层上配置的电子传输层、和在上述电子传输层上配置的电子注入层构成的5层膜。

11.如权利要求5所述的发光元件,其特征在于,上述发光膜为由电子注入层、在上述电子注入层上配置的电子传输层、在上述电子传输层上配置的发光层、在上述发光层上配置的空穴传输层、和在上述空穴传输层上配置的空穴注入层构成的5层膜。

12.一种发光装置,其特征在于,将如权利要求1至11任一项所述的发光元件构成的多个发光元件配置成阵列状。

13.如权利要求12所述的发光装置,其特征在于,为显示装置。

14.如权利要求12所述的发光装置,其特征在于,为照明装置。

15.如权利要求1至11任一项所述的发光元件,其特征在于,在上述发光膜和上述第二电极上配置保护绝缘膜。

16.如权利要求1至11任一项所述的发光元件,其特征在于,在上述发光膜和上述第二电极上配置彩色滤光片膜。

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