[发明专利]薄膜光伏电池及其制造方法以及薄膜光电模块无效
申请号: | 200910119895.X | 申请日: | 2009-03-20 |
公开(公告)号: | CN101552305A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 明承烨 | 申请(专利权)人: | 韩国铁钢株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/048;H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 葛 强;邬 玥 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 电池 及其 制造 方法 以及 光电 模块 | ||
1、一种薄膜光伏电池的制造方法,包括:
在透明基板上层压透明电极的阶段;
在上述透明电极上层压光电层的阶段;
在上述光电层上层压金属电极层的阶段;
在上述金属电极层上层压由防水材料构成的缓冲层的阶段。
2、根据权利要求1所述的薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于:还包括,用激光从上述缓冲层的表面到上述透明电极的表面形成分离槽的阶段。
3、根据权利要求1所述的薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于:还包括,在上述光电层和上述金属电极层之间层压由氧化锌构成的背面反射膜。
4、根据权利要求3所述的薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于:层压上述背面反射膜的阶段将通过有机金属化学气相沉积法或者低压化学气相沉积法层压。
5、根据权利要求3所述的薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于:上述背面反射膜的厚度为50nm至2500nm。
6、根据权利要求1所述的薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于:上述缓冲层的厚度为50nm至1000nm。
7、根据权利要求1所述的薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于:上述防水材料是氧化铟锡、氧化锡或者氧化铟锌。
8、根据权利要求1所述的薄膜光伏电池的制造方法,其特征在于:上述缓冲层掺杂有杂质。
9、一种薄膜光伏电池,包括:
层压在透明基板上的透明电极;
层压在上述透明电极上的光电层;
层压在上述光电层上的金属电极层;
层压在上述金属电极层上且由防水材料构成的缓冲层。
10、根据权利要求9所述的薄膜光伏电池,其特征在于:上述缓冲层的厚度为50nm至1000nm。
11、根据权利要求9所述的薄膜光伏电池,其特征在于:上述防水材料是氧化铟锡、氧化锡或者氧化铟锌。
12、根据权利要求9所述的薄膜光伏电池,其特征在于:还包括,在上述光电层和上述金属电极层之间由氧化锌构成的背面反射膜。
13、根据权利要求12所述的薄膜光伏电池,其特征在于:上述背面反射膜的厚度为500nm至2500nm。
14、根据权利要求9所述的薄膜光伏电池,其特征在于:上述缓冲层掺杂有杂质。
15、一种薄膜光电模块,包括:
层压在透明基板上的透明电极;
层压在上述透明电极上的光电层;
层压在上述光电层上的金属电极层;
在上述金属电极层上层压防水材料的缓冲层;
将封装上述透明电极、光电层、金属电极层和缓冲层的封装部件。
16、根据权利要求15所述的薄膜光电模块,其特征在于:上述缓冲层的厚度为50nm至1000nm。
17、根据权利要求15所述的薄膜光电模块,其特征在于:上述防水材料是氧化铟锡、氧化锡或者氧化铟锌。
18、根据权利要求15所述的薄膜光电模块,其特征在于:上述封装部件包括封装上述薄膜光伏电池部分的EVA薄膜和低铁强化玻璃。
19、根据权利要求15所述的薄膜光电模块,其特征在于:上述封装部件包括封装上述薄膜光伏电池的电池部分的EVA薄膜和背板。
20、根据权利要求19所述的薄膜光电模块,其特征在于:上述背板具有将PVF薄膜、PET薄膜、PVF薄膜按顺序层压的TPT结构或者将PVDF薄膜、PET薄膜、PVDF薄膜按顺序层压的TPT结构。
21、根据权利要求20所述的薄膜光电模块,其特征在于:上述背板具有在上述TPT中插入铝箔的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的