[发明专利]发光装置及其制造方法与应用该发光装置的图像显示系统无效
申请号: | 200910119921.9 | 申请日: | 2009-02-26 |
公开(公告)号: | CN101819983A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 西川龙司;徐湘伦;苏伯昆;彭冠臻 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/52;H01L21/82;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 应用 图像 显示 系统 | ||
技术领域
本发明有关于用于图像显示系统的发光装置、其制造方法与应用该发光装置的图像显示系统。
背景技术
有机发光二极管所能提供光线的色纯度,是迈向全彩平面显示器应用的关键条件之一,其可应用微共振腔效应,即在发光装置的出光处制作半反射电极、相反方向放置全反射电极,来自发光层的光子在全反射电极和半反射镜间互相干扰,造成建设性或破坏性干涉,增强某特定波长的光而将其半高宽变窄,有一部份则被削弱。藉由控制微共振腔,可增强有机发光二极管的光线中特定色光的强度。如欲使用滤光材料得到三原色的色光,可在滤掉较少的光线下,仍得到较佳色纯度,而降低能源(电能)消耗。
US7129634、SID 04DIGEST(page 1017~1019)揭露用于显示装置的有机发光二极管,分别在不同色光的像素区置入不同厚度的透明微共振腔间隔层、透明电极。在单一像素区范围内的透明微共振腔间隔层、透明电极的厚度则为固定。须进行多次沉积、蚀刻来制作不同厚度的透明微共振腔间隔层、透明电极,使工艺复杂化而增加工艺成本。
发明内容
本发明提供一种发光装置,包含:一基板,具有多个发光区;一第一电极,位于上述基板上,上述第一电极具有一第一凸块,上述第一凸块位于上述多个发光区中的一第一发光区内;一发光层,位于上述第一电极上;以及一第二电极,位于上述发光层上。
本发明又提供一种图像显示系统,包含:一显示面板,具有上述的发光装置;以及一输入单元,耦接于上述显示面板,并提供一讯号输入上述显示面板,以使上述显示面板显示一图像。
本发明又提供一种发光装置的制造方法,包含下列步骤:提供一基板,分为多个发光区,上述多个发光区包括一第一发光区和一第二发光区;形成一电极基础层于上述基板上的所有多个发光区内;形成一第一岛状透明层于上述基板上的上述第一发光区内;形成一发光层于上述第一电极上;以及形成一第二电极于上述发光层上。
附图说明
图1为一例示的俯视图,显示根据本发明的发光装置;
图2A~2C为俯视图,显示根据本发明的凸块的排列方式;
图3A显示根据本发明的图像显示系统;
图3B显示根据本发明的显示面板的布局。
主要元件符号说明
10~发光装置 100~装置基板
100B、100G、100R、100W~发光区
100E1~E3~发光区 101~开关元件
102~平坦层 110~光反射层
120~第一电极 120a、102b~凸块
121~电极基础层 123、123~岛状透明层
125~凸块 130~像素定义层
140~发光层 150~第二电极
160~保护层 200~对向基板
200a~入射面 200B、200G、200R、200W~透光区
210~遮光层 220B~蓝光彩色滤光层
220G~绿光彩色滤光层 220R~红光彩色滤光层
400~显示面板 410~显示区
420~扫瞄驱动器区 430~数据驱动器区
440~选择性附加的电路区 500~输入单元
具体实施方式
为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
图1的发光装置10包含装置基板100及形成于其上的结构,用于图像显示系统的显示面板400则包含上述发光装置10,另外还可包含对向基板200及形成于对向基板200上的结构。
发光装置10包含:装置基板100、光反射层110、第一电极120、发光层140、第二电极150,其可为向上发光式。光反射层110为具有反射性的材料;第一电极可为一透明材料,例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,简称ITO);第二电极150可为一半反射半透光的材料;装置基板100可以是透明或不透明的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的