[发明专利]半导体光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200910126180.7 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101527427A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 楠政谕;冈贵郁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.半导体光元件的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：
在衬底上依次层压第一导电型的第一半导体层、活性层和第二导电型的第二半导体层的步骤；
在第二半导体层上涂布抗蚀剂，并通过光刻法使所述抗蚀剂形成条纹状图形的步骤；
以所述抗蚀剂作为掩模，对第二半导体层进行蚀刻，直至蚀刻到第二半导体层中途，从而形成在底部残留有所述第二半导体层的凹部以及与该凹部相邻的波导脊的步骤；
在残留有所述抗蚀剂的状态下，在所述波导脊和所述凹部上形成绝缘膜的步骤；
利用形成在所述抗蚀剂上的所述绝缘膜和形成在所述凹部上的所述绝缘膜的蚀刻速度的不同，除去形成在所述抗蚀剂上的所述绝缘膜，使所述抗蚀剂露出，但同时保留形成在所述凹部上的所述绝缘膜的步骤；
除去露出的所述抗蚀剂的步骤；以及
除去抗蚀剂之后，在波导脊顶部形成电极的步骤。
2.权利要求1所述的半导体光元件的制造方法，其中，所述形成绝缘膜的步骤是通过溅射法形成SiO2膜的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910126180.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种纱线束状连续回流丝光的方法
- 下一篇：照相机模块
