[发明专利]光学补偿双折射液晶显示器的像素结构及其形成方法有效
申请号: | 200910126201.5 | 申请日: | 2009-03-03 |
公开(公告)号: | CN101825820A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 张祖强;陈柏仰;施博盛;吴昭慧 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 补偿 双折射 液晶显示器 像素 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种光学补偿双折射液晶显示器的像素结构,包含:
第一基板;
与所述第一基板相对的第二基板;
第一导线与第二导线,设置于所述第一基板并相互平行;以及
电极,所述电极的至少一部分与所述第一导线重叠并直接接触于所述 第一导线,并且所述电极具有自所述第一导线朝向所述第二导线延伸而出 的延伸区;
其中所述电极的所述延伸区与所述第二导线相对的一侧的至少一部分 形成非直线区;
其中所述电极与所述第二导线的距离小于所述第一导线与第二导线的 距离,
其中所述第一导线与所述第二导线位于所述非直线区的形状具有互补 的关系。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其中所述第一导线为栅极线或为 公共线,而所述第二导线对应于所述第一导线为公共线或栅极线。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其中所述电极覆盖在所述第一导 线上或设置于所述第一导线下方。
4.根据权利要求2所述的像素结构,其中所述第二导线与所述电极的 延伸区的距离为1微米。
5.根据权利要求2所述的像素结构,其中所述第一导线与所述电极的 延伸区的距离为0微米至10微米之间。
6.根据权利要求2所述的像素结构,还包含像素电极,其设置于所述 第一基板以与所述电极形成储存电容。
7.根据权利要求6所述的像素结构,还包含公共电极,其设置于所述 第二基板并相对于所述像素电极。
8.根据权利要求2所述的像素结构,还包含多个液晶分子,夹置于所 述第一及第二基板之间,并且在所述非直线区形成横向电场用以使得部分 液晶分子形成弯曲态的种子液晶分子。
9.根据权利要求8所述的像素结构,其中所述横向电场为时变电场。
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