[发明专利]薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器有效
| 申请号： | 200910126229.9 | 申请日： | 2002-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101494235A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李基隆 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;G02F1/136;G09G3/36;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 多晶 及其 显示器 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层，包括：
有源沟道区，
其中，有源沟道区的长度为晶粒尺寸的整数倍。
2.如权利要求1所述的多晶硅层，其中，多晶硅层用在设置于显示区内的TFT中。
3.如权利要求1所述的多晶硅层，其中，多晶硅层用在设置于驱动电路部分内的TFT中。
4.如权利要求1所述的多晶硅层，其中，有源沟道区的长度大于2μm。
5.如权利要求1所述的多晶硅层，其中，晶粒数为2或更多。
6.如权利要求1所述的多晶硅层，其中，晶粒尺寸大于2μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社，未经三星移动显示器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910126229.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
