[发明专利]一种高精度可控电流源

权利要求书

1.一种高精度可控电流源，其特征在于，包括：

电压电流转换电路，用于对基准电压进行转换，生成第一电流；

电流镜电路，用于将所述第一电流转换为第二电流；

输出电路，用于将所述第二电流转换为第三电流输出，并使得输出电流恒 定；

所述电压电流转换电路包括第一NMOS晶体管、第一运算放大器和第一 电阻，其中：

所述第一NMOS晶体管的源极通过所述第一电阻接地，漏极接所述电流 镜电路的输入，栅极接所述第一运算放大器的输出；

所述第一运算放大器的正向输入端接基准电压，反向输入端连接于所述第 一NMOS晶体管的源极和所述第一电阻之间；

所述电流镜电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS 晶体管和第二运算放大器，其中：

所述第一PMOS晶体管的源极接电源，漏极接所述电压电流转换电路的 输出，栅极和漏极短接，栅极还接所述第二PMOS晶体管的栅极以及所述第 二运算放大器的正向输入端；

所述第二PMOS晶体管的源极接电源，漏极接所述第三PMOS晶体管的 源极以及所述第二运算放大器的反向输入端；

所述第三PMOS晶体管的栅极接所述第二运算放大器的输出，漏极接所 述输出电路的输入；

所述输出电路包括第三运算放大器、第四运算放大器、第五运算放大器、 第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第二电阻和 第三电阻，其中：

所述第三运算放大器的正向输入端接基准电压，反向输入端和输出短接并 通过串联的所述第二电阻、第三电阻接地；

所述第四运算放大器的反向输入端接所述第二电阻和第三电阻的公共端， 正向输入端接所述第二NMOS晶体管的漏极；

所述第二NMOS晶体管的源极接地，漏极接所述电流镜电路的输出以及 所述第五运算放大器的正向输入端，栅极接所述第四运算放大器的输出；

所述第三NMOS晶体管的源极接地，栅极接所述第四运算放大器的输出， 漏极接所述第五运算放大器的反向输入端以及所述第四NMOS晶体管的源 极；

所述第四NMOS晶体管的栅极接所述第五运算放大器的输出，漏极为所 述高精度可控电流源的输出端。

2.如权利要求1所述的高精度可控电流源，其特征在于：

所述第一电阻的电阻值可调，且不同的电阻值对应于所述第一电流的不同 电流值。

3.如权利要求1所述的高精度可控电流源，其特征在于：

所述第二运算放大器和第三PMOS晶体管被构造成箝位电路，使得所述 第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的源漏电压相等，从而使得所述第一 电流和第二电流相匹配。

4.如权利要求1所述的高精度可控电流源，其特征在于：

所述第五运算放大器被构造成用于箝位所述第二NMOS晶体管的漏极和 所述第三NMOS晶体管的漏极，使得所述高精度可控电压源的输出电流恒定。