[发明专利]高频电子元件无效
申请号: | 200910126558.3 | 申请日: | 2009-03-12 |
公开(公告)号: | CN101533937A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 日浦滋;山崎宏明;池桥民雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01P1/12 | 分类号: | H01P1/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 杨 谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 电子元件 | ||
1、一种高频电子元件,其特征在于,包括:
硅基板;
在所述硅基板上彼此交叉地形成的高频信号线和接地线;以及
电介质膜,其在所述高频信号线和所述接地线交叉的部分,形成在所述高频信号线和所述接地线的至少一方上,且该电介质膜构成可变电容部,所述电介质膜为,所述高频信号线和所述接地线能够沿接触分离方向相对移位地被支撑。
2、根据权利要求1所述的高频电子元件,其特征在于:
所述可变电容部中的所述高频信号线通过在所述硅基板上形成的共面线与所述高频电子元件的外部相连,在所述高频信号线的一部分区域中,与其他区域相比,被形成为离开所述硅基板侧。
3、根据权利要求1所述的高频电子元件,其特征在于:
用于使所述高频信号线在所述硅基板上可动的静电力用电极配置在所述高频信号线的侧方,通过连接用绝缘体连接所述静电力用电极和所述高频信号线。
4、根据权利要求3所述的高频电子元件,其特征在于:
所述静电力用电极配置在所述高频信号线的侧方,在将通过连接用绝缘体连接所述静电力用电极和所述高频信号线而成的结构部作为单位结构部时,具有串联连接多个所述单位结构部而成的电容组部结构,所述单位结构部的所述高频信号线与所述硅基板侧的金属电极连接。
5、根据权利要求3所述的高频电子元件,其特征在于:
所述静电力用电极配置在所述高频信号线的侧方,在将通过连接用绝缘体连接所述静电力用电极和所述高频信号线而成的结构部作为单位结构部时,具有串联连接多个所述单位结构部而成的电容组部结构,所述单位结构部的所述高频信号线从所述硅基板侧拱起地形成。
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