[发明专利]一种锯齿波和时钟信号生成电路无效
申请号: | 200910126623.2 | 申请日: | 2009-03-05 |
公开(公告)号: | CN101557210A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 夏云凯;李建锋;刘洪涛 | 申请(专利权)人: | 西安民展微电子有限公司 |
主分类号: | H03K4/00 | 分类号: | H03K4/00;H03K4/50;H03K5/01 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许 静 |
地址: | 710075陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锯齿 时钟 信号 生成 电路 | ||
1.一种锯齿波和时钟信号生成电路,包括,用于生成锯齿波的锯齿波生成电路,以及,用于将所述锯齿波转换为方波从而生成时钟信号的锯齿波方波转换电路,其特征在于,所述锯齿波生成电路包括:
顺序地连接于电源与地之间的第一电阻、第一NPN晶体管、第二电阻和第二NPN晶体管,所述第一NPN晶体管的基极和集电极相连;
第一PMOS晶体管,其源极接电源,其栅极和漏极相连;
第二PMOS晶体管,其源极接电源,其栅极接所述第一PMOS晶体管的栅极;
第三PMOS晶体管,其源极接所述第一PMOS晶体管的漏极,其栅极被提供有所述时钟信号;
第四NMOS晶体管,其漏极接所述第二PMOS晶体管的漏极,其源极接所述第三PMOS晶体管的漏极,其栅极被提供有所述时钟信号;
顺序地连接于所述第三PMOS晶体管的漏极与地之间的第三NPN晶体管和第三电阻,所述第三NPN晶体管的基极接所述第二NPN晶体管的集电极,所述第三NPN晶体管的发射极接所述第二NPN晶体管的基极;
第一电容,连接于所述第二NMOS晶体管的漏极与地之间,通过对所述第一电容的充放电来生成锯齿波。
2.如权利要求1所述的锯齿波和时钟信号生成电路,其特征在于,所述锯齿波方波转换电路包括第一比较器、第二比较器、第一与非门、第二与非门和第一反向器,其中:
所述第一比较器的正向输入端接所述第一NPN晶体管的基极,所述第二比较器的负向输入端接所述第一NPN晶体管的发射极,所述第一比较器的负向输入端和所述第二比较器的正向输入端被提供有所述锯齿波信号;
所述第一与非门的一端接所述第一比较器的输出端,另一端接所述第二与非门的输出端,所述第二与非门的一端接所述第二比较器的输出端,另一端接所述第一与非门的输出端;
所述第一反向器的输入端接所述第二与非门的输出端,所述第一反向器的输出端为时钟信号输出端。
3.如权利要求1所述的锯齿波和时钟信号生成电路,其特征在于:
所述第一NPN晶体管和所述第二NPN晶体管的尺寸相同。
4.如权利要求1所述的锯齿波和时钟信号生成电路,其特征在于:
所述第二电阻被构造成产生一正向电压降,使得所述第三NPN晶体管工作于放大区。
5.如权利要求4所述的锯齿波和时钟信号生成电路,其特征在于:
所述第三NPN晶极管被构造成产生一基极发射极的导通电压降,使得所述第二NPN晶体管工作于放大区。
6.如权利要求5所述的锯齿波和时钟信号生成电路,其特征在于:
所述第二NPN晶体管被构造成产生一基极发射极的导通电压降,来箝位所述第三电阻上的电压降。
7.如权利要求1所述的锯齿波和时钟信号生成电路,其特征在于:
所述第三电阻的不同电阻值,对应于所述锯齿波和时钟信号的不同频率,具体为:
其中,fq为所述锯齿波和时钟信号的频率,K为所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的宽长比,C为所述第一电容的电容值、R为所述第三电阻的电阻值。
8.如权利要求1所述的锯齿波和时钟信号生成电路,其特征在于:
所述第一电容的不同电容值,对应于所述锯齿波和时钟信号的不同频率,具体为:
其中,fq为所述锯齿波和时钟信号的频率,K为所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的宽长比,C为所述第一电容的电容值、R为所述第三电阻的电阻值。
9.如权利要求1所述的锯齿波和时钟信号生成电路,其特征在于:
所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的不同宽长比,对应于所述锯齿波和时钟信号的不同频率,具体为:
其中,fq为所述锯齿波和时钟信号的频率,K为所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的宽长比,C为所述第一电容的电容值、R为所述第三电阻的电阻值。
10.如权利要求1所述的锯齿波和时钟信号生成电路,其特征在于:
所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的宽长比,对应于所述时钟信号的不同占空比,具体为:
D=1/(K+1)
其中,D为所述时钟信号的占空比,K为所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的宽长比。
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