[发明专利]液晶显示装置有效
| 申请号： | 200910126641.0 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101526709A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 海东拓生;园田大介;新田秀和 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G09G3/36;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 | ||
1.一种液晶显示装置，该装置形成有：
呈矩阵状形成有像素电极和薄膜晶体管的显示区域；和
形成在上述显示区域的周边上的包含薄膜晶体管的驱动电路，
其特征在于，
上述薄膜晶体管的结构为：覆盖栅电极而形成有栅极绝缘膜，在上述栅极绝缘膜之上形成有poly-Si层，在上述poly-Si层的主面之上除了周边部而形成有沟道截断环层，n+Si层接触上述poly-Si层的主面的周边部，覆盖上述n+Si层而形成有源/漏电极。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述n+Si层和上述源/漏电极覆盖上述沟道截断环的一部分。
3.一种液晶显示装置，该装置形成有：
呈矩阵状形成有像素电极和像素用薄膜晶体管的显示区域；和
形成在上述显示区域的周边上的包含驱动电路用薄膜晶体管的驱动电路，
其特征在于，
上述驱动电路用薄膜晶体管和上述像素用薄膜晶体管的结构为：覆盖栅电极而形成有栅极绝缘膜，在上述栅极绝缘膜之上形成有半导体层，在上述半导体层的主面之上除了周边部而形成有沟道截断环层，n+Si层接触上述半导体层的主面的周边部，覆盖上述n+Si层而形成有源/漏电极，
上述驱动电路用薄膜晶体管的半导体层由poly-Si形成，上述像素用薄膜晶体管的半导体层由a-Si形成。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述a-Si的膜厚为70nm以下。
5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述n+Si层和上述源/漏电极覆盖上述沟道截断环的一部分。
6.一种液晶显示装置，该装置形成有：
呈矩阵状形成有像素电极和薄膜晶体管的显示区域；和
形成在上述显示区域的周边上的包含薄膜晶体管的驱动电路，
其特征在于，
上述薄膜晶体管的结构为：覆盖栅电极而形成有栅极绝缘膜，在上述栅极绝缘膜之上形成有poly-Si层，在上述poly-Si层之上形成有沟道截断环层，覆盖上述沟道截断环层和上述poly-Si层的一部分而形成有n+Si层和源/漏电极，
上述沟道截断环层通过湿法蚀刻来进行加工，上述poly-Si层通过干法蚀刻来进行加工，
通过上述干法蚀刻进行了加工的上述poly-Si层的端部位于通过上述湿法蚀刻进行了加工的沟道截断环的端部的外侧。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述n+Si层通过干法蚀刻来进行加工。
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