[发明专利]半导体激光器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器，在同一衬底上形成发生光的激活部分和 用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分，其特征在于：

所述衬底为InP衬底，

所述激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的下部包层、包含 由AlGaInAs或InGalAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或 AlGaInAs构成的上部包层，

所述外周部分具有由将AlInAs或AlGaInAs氧化的物质构成的第 一包层、芯层、以及由将AlInAs或AlGaInAs氧化的物质构成的第二 包层，

在所述外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。

2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：

所述激活部分的芯层还具有由第一导电型的InP及AlGaInAs共 同构成的导光层和由第二导电型的InP及AlGaInAs共同构成的导光 层，

所述外周部分的芯层具有第一导电型的InP芯层和第二导电型的 InP芯层。

3.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：所述外周 部分的芯层具有不掺杂InP芯层。

4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：

所述外周部分的第一及第二包层的膜厚分别在500nm以上，

所述外周部分的芯层的膜厚在280nm以上。

5.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：

所述外周部分的第一及第二包层的膜厚分别在500nm以上，

所述外周部分的芯层的膜厚在所述多个空穴的排列周期的70％ 以上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体激光器，其特征在于：

所述衬底及所述下部包层为n型，

所述上部包层为p型，

所述激活部分还具有在所述上部包层上依次被设置的p型隧道 结层、n型隧道结层、n型包层及n型接触层，

注入电流的第一电极与所述衬底接合，

注入电流的第二电极与所述n型接触层接合。

7.如权利要求1～5中任一项所述的半导体激光器，其特征在 于：所述外周部分具有1组以上的反射镜。

8.如权利要求1～5中任一项所述的半导体激光器，其特征在 于：所述谐振器的所述二维光子晶体面内形状没有平行的部分。

9.如权利要求1～5中任一项所述的半导体激光器，其特征在 于：所述谐振器的所述二维光子晶体面内形状为圆形。

10.如权利要求1～5中任一项所述的半导体激光器，其特征在 于：在所述二维光子晶体内形成了光波导。

11.一种半导体激光器的制造方法，是在同一衬底上形成发生 光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分的半导 体激光器的制造方法，其特征在于包括：

在InP衬底上依次形成由AlInAs或AlGaInAs构成的下部包层、 下部InP导光层、由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层、以及第一 上部InP导光层的工序；

在所述外周部分中，蚀刻所述第一上部InP导光层及所述激活层 的工序；

在蚀刻之后，依次形成第二上部InP导光层及由AlInAs或 AlGaInAs构成的上部包层的工序；

在所述外周部分中，在所述上部包层、所述第二上部InP导光层、 所述下部InP导光层以及所述下部包层以规定周期形成多个空穴，从 而形成二维光子晶体的工序；以及

通过所述多个空穴，将所述外周部分的所述下部包层及所述上部 包层氧化的工序。

12.如权利要求11所述的半导体激光器的制造方法，其特征在 于：

使所述外周部分的所述下部包层及所述上部包层的膜厚分别在 500nm以上，

使所述外周部分的所述下部InP导光层和所述第二上部InP导光 层的合计膜厚在280nm以上。