[发明专利]聚焦测定方法和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种聚焦测定方法，其特征在于，包括：

准备在曝光装置中设定的聚焦值与抗蚀剂图形的收缩量的对应关系的工序，其中，所述抗蚀剂图形的收缩量是对通过该聚焦值下的曝光在基板上形成的抗蚀剂图形的尺寸测定多次而获得的；

对通过曝光装置的在设定聚焦值下的曝光在聚焦测定对象的基板上形成的所述抗蚀剂图形的尺寸进行多次测定的工序；

根据所述测定结果，求取通过所述设定聚焦值下的曝光形成的所述抗蚀剂图形的收缩量的工序；和

根据所述对应关系，求取与所述求得的收缩量对应的聚焦值的工序。

2.如权利要求1所述的聚焦测定方法，其特征在于：

所述抗蚀剂图形的尺寸通过向所述抗蚀剂图形的同一部分照射电子束而被多次测定。

3.如权利要求2所述的聚焦测定方法，其特征在于：

求取所述抗蚀剂图形的收缩量的工序是根据所述多次测定得到的尺寸计算由所述电子束照射引起的所述抗蚀剂图形的收缩量的工序。

4.如权利要求3所述的聚焦测定方法，其特征在于：

所述抗蚀剂图形的收缩量通过从所述尺寸的初次的测定值减去所述尺寸的最后一次的测定值而被计算出。

5.如权利要求2所述的聚焦测定方法，其特征在于，还包括：

根据由所述电子束照射引起的所述抗蚀剂图形的收缩量饱和的次数，预先决定所述抗蚀剂图形的尺寸的测定次数的工序。

6.如权利要求3所述的聚焦测定方法，其特征在于，还包括：

根据由所述电子束照射引起的所述抗蚀剂图形的收缩量饱和的次数，预先决定所述抗蚀剂图形的尺寸的测定次数的工序。

7.如权利要求4所述的聚焦测定方法，其特征在于，还包括：

根据由所述电子束照射引起的所述抗蚀剂图形的收缩量饱和的次数，预先决定所述抗蚀剂图形的尺寸的测定次数的工序。

8.如权利要求1所述的聚焦测定方法，其特征在于：

所述抗蚀剂图形由化学增强型抗蚀剂材料构成。

9.如权利要求2所述的聚焦测定方法，其特征在于：

所述抗蚀剂图形由化学增强型抗蚀剂材料构成。

10.如权利要求1～9中任一项所述的聚焦测定方法，其特征在于：

所述抗蚀剂图形是孤立线图形。

11.如权利要求10所述的聚焦测定方法，其特征在于：

线图形宽度为0.15μm以下。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备在曝光装置中设定的聚焦值与抗蚀剂图形的收缩量的对应关系的工序，其中，所述抗蚀剂图形的收缩量是对通过该聚焦值下的曝光在基板上形成的抗蚀剂图形的尺寸测定多次而获得的；

对通过曝光装置的在设定聚焦值下的曝光在聚焦测定对象的基板上形成的所述抗蚀剂图形的尺寸进行多次测定的工序；

根据所述测定结果，求取通过所述设定聚焦值下的曝光形成的所述抗蚀剂图形的收缩量的工序；

根据所述对应关系，求取与所述求得的收缩量对应的聚焦值的工序；

根据所述求得的聚焦值求取聚焦偏移量的工序；

根据所述求得的聚焦偏移量修正所述曝光装置的设定聚焦值的工序；和

通过修正设定聚焦值后的所述曝光装置对基板进行曝光的工序。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

将修正后的设定聚焦值应用于包括在同一批次中的多个基板。