[发明专利]半导体激光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光元件，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板的表面上形成的、具有在与所述表面平行的第一方向 上延伸的光波导的半导体层；

形成在所述半导体层的表面上的第一电极层；和

形成在所述基板的背面上的第二电极层，

所述光波导与所述表面平行，且形成于在与所述第一方向交叉的 第二方向上从所述半导体激光元件的中央部偏向一侧的区域中，所述 第二方向与所述表面平行，

在所述半导体激光元件的上表面上形成有第一区域和第一凹部，

所述第一区域位于所述光波导的与所述一侧相反的一侧，与所述 光波导分开并与所述第一方向平行地延伸，并且所述第一区域形成为 不从所述第一凹部的所述第二方向的端部在所述光波导的方向伸出，

所述第一凹部在所述光波导的端面的延长线上，与所述光波导分 开并与所述第一区域交叉，并且在所述第二方向上延伸，

所述第一区域中的所述半导体层的厚度小于所述第一区域以外的 区域中的所述半导体层的厚度，

所述基板的背面位于所述基板的与表面相反的一侧。

2.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述第一区域中的所述半导体层的厚度实质上是零。

3.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述第一区域形成在所述基板和所述半导体层的至少任一方的结 晶缺陷多的区域中。

4.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述第一电极层形成为与所述第一凹部分开。

5.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

在所述基板的与表面相反的一侧的背面上形成有在所述第一方向 上延伸的第二凹部。

6.如权利要求5所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述第二凹部设置在与所述第一区域相对的位置上。

7.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

在所述基板的表面上的与所述第一区域相对的区域中，形成有与 所述第一方向平行延伸的第三凹部。

8.如权利要求7所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述第三凹部的深度大于所述第一区域以外的区域中的所述半导 体层的厚度。

9.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述基板和所述半导体层由氮化物类半导体构成。