[发明专利]具有共偶电极面的电容器件有效

专利信息
申请号: 200910126781.8 申请日: 2009-02-23
公开(公告)号: CN101527198A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 徐健明;李明林;赖信助;邱震轩 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01G2/06 分类号: H01G2/06;H01G4/38;H01L23/58
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邱 军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 电极 电容 器件
【说明书】:

技术领域

在此所公开的实施例涉及一种电容器件,更具体的,涉及一种具有一对或多对共偶电极面的电容器件。

背景技术

通常,退耦电容器,例如表面安装器件(SMD)电容器,靠近印刷电路板(PCB)或集成电路(IC)基板上的电子器件的电源/接地脚设置以减小不良噪声。电容器是能够及时储存或吸收电荷的电子器件。即,当信号在高速状态下同时切换时,退耦电容可以为电子器件提供直流(DC)电源的局部源。

随着IC中信号传输速度的增加,由电源噪声、地势跳动(ground bounce)或同时切换噪声(SSN)导致的不可预料的中断可以是有严重影响的,并且因此对于设计者是不可忽略的。然而,当电子器件工作在高频下时,对于SMD退耦电容器,由导电迹线引入的寄生电感会变得较高。因此,对于SMD退耦电容器来说难以稳定电源电平。另外,安装在PCB上的SMD电容器需要一定的板空间并且可能限制了可用于其它器件的板空间。为了解决上述问题,有时在供电网络中采用嵌入PCB中或IC衬底中的退耦电容。

嵌入式电容器,其可以指的是嵌入或埋入PCB、IC衬底或内插板的电容器,被提出替代SMD电容器以减小开关噪声。然而,嵌入PCB或IC基板的电容器,当工作在高于其谐振频率的频率下时,也可能显示的感性大于容性。即,当工作频率增加时,嵌入式电容器的阻抗会增加,导致供电网络退耦性能的退化。这样,在电源集成设计中,如何减小嵌入式电容器的阻抗以及扩大退耦带宽是可能的考虑因素。

发明内容

与所公开的实施例一致,提供一种电容模块,其包括:包括第一电极和第二电极的第一电容器,该第一电极和第二电极中的一个连接到至少一个第一导电通路并且该第一电极和第二电极中的另一个连接到至少一个第二导电通路;与该第一电容器空间隔离的第二电容器,该第二电容器包括第三电 极和第四电极,该第三电极和第四电极中的一个连接到该至少一个第一导电通路并且该第三电极和第四电极中的另一个连接到该至少一个第二导电通路;第一导电面通过该至少一个第一导电通路之一电连接到具有第一极性的第一电极;以及在与该第一导电面相同的面上并且与第一导电面隔离的第二导电面,该第二导电面通过至少一个第二导电通路与具有第二极性的第二电极电连接,该第一极性与第二极性电位极性相反。其中该第一导电面包括至少一个第一指片并且该第二导电面包括至少一个第二指片,并且该至少一个第一指片和该至少一个第二指片彼此交叉。

与所公开的实施例一致,还提供了一种电容模块,其包括:具有第一极性的第一电极;形成在该第一电极下面且具有第二极性的第二电极,该第二极性与该第一极性相反,第三电极经第一导电通路与该第一电极电连接,第四电极形成在该第三电极下面并经第二导电通路与该第二电极电连接,第一导电面经该第一导电通路与该第一电极电连接;以及在与该第一导电面相同的面上并且与第一导电面隔离的第二导电面,该第二导电面通过该第二导电通路与具有第二极性的第二电极电连接,该第一极性与第二极性电位极性相反,其中该第一导电面包括至少一个第一指片并且该第二导电面包括至少一个第二指片,并且该至少一个第一指片和该至少一个第二指片彼此交叉。

所公开实施例的附加的内容部分地将在下面的说明书中阐述,并且部分地将从说明书中显而易见,或者由本发明的实践可以了解。

可以理解的是,如权利要求所述,前述总体说明和以下详细说明只是示例性的和解释性的,而不是限定所公开的实施例。

附图说明

当结合所附附图阅读所公开实施例的前述概述、以及以下的详细说明时,所公开的实施例会更加容易理解。为了示出所公开的实施例,附图示例中所示的有目前优选的。然而,可以理解的是,本发明不限于所示的精确设置和手段。

在附图中:

图1A示出了根据一个公开的实施例的由剖面图所示的电容模块;

图1B示出了根据一个公开的实施例的由剖面图所示另一个电容模块;

图2A示出了根据一个公开的实施例的电容模块的示意俯视图;

图2B是图2A中所示的电容模块的等效电路图;

图3A示出了根据一个公开的实施例的电容模块的示意俯视图;

图3B示出了根据另一个公开的实施例的电容模块的示意俯视图;

图3C是图3A中所示的电容模块的等效电路图;

图4A示出了与本发明一致的由剖面图所示的另一个电容模块;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910126781.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top