[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其具备设置于基板上的氮化物半导体 的多层膜，其特征在于，

所述氮化物半导体的多层膜具有发光层及共振器的端面，且由氮化物 半导体结晶构成，

在所述共振器的所述端面的至少1个端面上设有由氮化铝结晶构成的 保护膜，

所述保护膜具有结晶轴与构成设有所述保护膜的所述共振器的所述 端面的所述氮化物半导体结晶的结晶面相互成90度的结晶面。

2.一种氮化物半导体发光元件，其具备设置于基板上的氮化物半导体 的多层膜，其特征在于，

所述氮化物半导体的多层膜具有发光层及共振器的端面，且由氮化物 半导体结晶构成，

在所述共振器的所述端面的至少1个端面上设有由氮化物结晶或氮氧 化物结晶构成的保护膜，

在所述保护膜上设有由氮化铝结晶构成的第2保护膜，

所述第2保护膜具有结晶轴与构成设有所述第2保护膜的所述共振器 的所述端面的所述氮化物半导体结晶的结晶面相互成90度的结晶面。

3.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述 保护膜由氮化铝结晶构成。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述 保护膜还具有结晶轴与构成设有所述保护膜的所述共振器的所述端面的 氮化物半导体结晶的结晶面相互平行的结晶面。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，设有 所述保护膜的所述共振器的所述端面与所述保护膜的界面中的硅量为 1×10²⁰原子/cm³以下。

6.根据权利要求5所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，当使 用二次离子质量分析法对所述界面中的硅量进行面积换算时，所述界面中 的所述硅量为2×10¹⁴原子/cm²以下。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所 述保护膜上设有含有氧化物或氮氧化物的保护膜。

8.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所 述第2保护膜上设有含有氧化物或氮氧化物的保护膜。

9.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述 含有氧化物或氮氧化物的保护膜含有Al、Si、Zr、Ti、Ta、Ga、Nb和Hf 中的至少1种。

10.氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述氮化物半 导体发光元件中，在形成于氮化物半导体的多层膜的共振面的端面的至少 1个端面上，形成有具有结晶轴与构成所述端面的所述氮化物半导体结晶 的结晶面相互成90度的结晶面、且由氮化铝结晶构成的保护膜，所述氮 化物半导体的多层膜由氮化物半导体结晶构成，

在含有分压为20％以上的氮气的等离子体气氛中，至少在所述共振器 的所述端面中的所述1个端面上形成所述保护膜。