[发明专利]MOS集成电路、以及具备其的电子设备无效
| 申请号： | 200910126853.9 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101546996A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 青池昌洋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K5/24 | 分类号： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 集成电路 以及 具备 电子设备 | ||
1、一种MOS集成电路，比较第1以及第2电压的大小，其特征在于，
具备：电压电流转换电路，将所述第1以及第2电压转换成具有与所述第1电压对应的电流值的第1电流、以及具有与所述第2电压对应的电流值的第2电流；和
电流比较电路，比较所述第1以及第2电流的电流值的大小，输出表示比较结果的电压，
从包含该MOS集成电路的LSI的外部输入所述第1以及第2电压，
构成所述电流比较电路的MOS晶体管的氧化膜比构成所述电压电流转换电路的MOS晶体管的氧化膜薄。
2、根据权利要求1所述的MOS集成电路，其特征在于，
所述电压电流转换电路构成为转换效率可变。
3、根据权利要求1所述的MOS集成电路，其特征在于，
所述第1以及第2电压的频率越高，所述电压电流转换电路的转换效率越上升。
4、根据权利要求3所述的MOS集成电路，其特征在于，
所述电压电流转换电路中的使转换效率成为规定水平的所述频率可变。
5、根据权利要求4所述的MOS集成电路，其特征在于，
所述电压电流转换电路中转换效率相对所述频率的上升程度可变。
6、根据权利要求1所述的MOS集成电路，其特征在于，
在所述电流比较电路中提供时钟，
所述电流比较电路与所述时钟同步地比较所述第1以及第2电流的大小。
7、根据权利要求1所述的MOS集成电路，其特征在于，
所述电流比较电路在所述第1以及第2电流的电流值的差和输出电压的关系中具有滞后特性。
8、一种电子设备，具备权利要求1所述的MOS集成电路。
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