[发明专利]制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片无效
| 申请号： | 200910126956.5 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101504913A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二;入仓正登;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/304;H01L27/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 衬底 晶片 方法 | ||
1.一种制造III族氮化物衬底晶片的方法，包括如下步骤：
准备三个或更多个III族氮化物衬底晶片，所述晶片具有等于或大于40mm的直径和长度为2mm至30mm的晶向平面OF；
在与抛光板的旋转相关的OF面向前(f)、向后(b)或向内(u)的方向上，将所述三个或更多个III族氮化物衬底晶片胶合在圆形抛光板的底部上；以及
将所述三个或更多个III族氮化物衬底晶片的表面进行平面处理，使之成为具有小于或等于200μm的水平宽度(e)和小于或等于100μm的垂直深度(g)的斜面的镜面表面。
2.如权利要求1所述的方法，其中，
沿着具有与抛光板的中心相重合的中心的圆在抛光板上粘贴所述III族氮化物衬底晶片；
与晶片的内边接触的内接触圆(j)具有大于或等于晶片直径0.35倍长的直径(J)；并且，
晶片的外边和抛光板的边缘之间的余量(p)大于或等于1mm。
3.如权利要求1所述的方法，其中，
沿着具有与抛光板的中心相重合的中心的圆在抛光板上粘贴所述III族氮化物衬底晶片；
晶片的中心在具有抛光板的直径(r)一半的直径(r/2)的半圆(v)以外；并且，
晶片的外边和抛光板的边缘之间的余量(p)大于或等于1mm。
4.如权利要求1所述的方法，其中，
沿着两个同心的内圆和外圆在抛光板上粘贴所述III族氮化物衬底晶片；并且，
内圆上的晶片不与外圆上的晶片径向对准。
5.如权利要求1所述的方法，其中，
所述III族氮化物衬底晶片具有内带状结构，在该结构中多组平行的低缺陷密度单晶区域(Z)和平行的缺陷聚集区域(H)依次相互对准。
6.一种制造III族氮化物衬底晶片的方法，包括如下步骤：
准备三个或更多个III族氮化物衬底晶片，所述晶片具有大于或等于40mm的直径和深度为2mm至10mm且角度为30度至120度的凹口；
在与抛光板的旋转相关的在凹口面向前(f)、向后(b)或向内(u)的方向上，将所述三个或更多个III族氮化物衬底晶片胶合在圆形抛光板的底部上；以及
将所述三个或更多个III族氮化物衬底晶片的表面进行平面处理，使之成为具有小于或等于200μm的水平宽度(e)和小于或等于100μm的垂直深度的斜面的镜面表面。
7.如权利要求6所述的方法，其中，
沿着具有与抛光板的中心相重合的中心的圆在抛光板上粘贴所述三个或更多个III族氮化物衬底晶片；
与晶片的内边接触的内接触圆(j)具有大于或等于晶片直径0.35倍长的直径(J)；并且，
晶片的外边和抛光板的边缘之间的余量(p)大于或等于1mm。
8.如权利要求6所述的方法，其中，
沿着具有与抛光板的中心相重合的中心的圆在抛光板上粘贴所述III族氮化物衬底晶片；
晶片的中心在具有抛光板的直径(r)一半的直径(r/2)的半圆(v)以外；并且，
晶片的外边和抛光板的边缘之间的余量(p)大于或等于1mm。
9.如权利要求6所述的方法，其中，
沿着两个同心内圆和外圆在抛光板上粘贴所述III族氮化物衬底晶片；并且，
内圆上的晶片不与外圆上的晶片径向对准。
10.如权利要求6所述的方法，其中，
所述III族氮化物衬底晶片具有内带状结构，在该结构中多组平行的低缺陷密度单晶区域(Z)和平行的缺陷聚集区域(H)依次相互对准。
11.一种III族氮化物衬底晶片，其是通过根据权利要求1-10中的任意一项所述的方法制造的。
12.一种半导体器件，其具有根据权利要求11所述的III族氮化物衬底和在该III族氮化物衬底上外延生长的各层。
13.一种在根据权利要求11所述的III族氮化物衬底晶片上外延生长各层的半导体器件制造方法。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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