[发明专利]喷淋板的制造方法、喷淋板以及等离子体处理装置无效
申请号: | 200910127016.8 | 申请日: | 2009-03-10 |
公开(公告)号: | CN101533763A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;后藤哲也;石桥清隆 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;C23C14/00;C23C16/00;C23F4/00;H05H1/24 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋 制造 方法 以及 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种喷淋板的制造方法,用于在等离子体处理装置中向处理容器内导入等离子体处理所用的气体,其特征在于,
该喷淋板的制造方法包括如下工序:
用多孔质材料形成柱状的多孔质气体流通体的工序;
用不透气的致密的材料形成筒状的致密构件的工序;
片体形成工序,其用上述致密构件以接触上述多孔质气体流通体的侧面的方式覆盖该多孔质气体流通体的侧面,形成多孔片体;
第1烧成工序,以第1温度烧成上述多孔片体;
在作为上述喷淋板的主体的电介质板的、朝向等离子体的面上形成凹部的工序;
形成自上述凹部的底面贯通上述电介质板的气体流路的工序;
安装工序,其将上述多孔片体嵌入上述凹部,形成气体喷射口;
第2烧成工序,其以与上述第1温度同等以下的温度一体烧成结束了上述安装工序的电介质板。
2.根据权利要求1所述的喷淋板的制造方法,其特征在于,
在上述片体形成工序之前具有预先烧成上述多孔质气体流通体的预烧成工序。
3.根据权利要求1或2所述的喷淋板的制造方法,其特征在于,
在上述第1烧成工序中,烧成条件是,上述致密构件的烧结收缩率大于上述多孔质气体流通体的烧结收缩率。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的喷淋板的制造方法,其特征在于,
在上述安装工序之前,具有逐个地检查上述多孔片体的气体流通量的工序。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的喷淋板的制造方法,其特征在于,
在上述安装工序之前,具有将与上述多孔片体的上述凹部的底面相抵接的面和侧面的角部进行倒角加工的工序。
6.根据权利要求5所述的喷淋板的制造方法,其特征在于,
在上述安装工序之前,具有形成气体通路的工序,该气体通路将上述气体流路和在上述倒角加工工序中被切掉的部分的空间连结起来。
7.一种喷淋板,其特征在于,
该喷淋板是利用权利要求1~6中任意一项所述的喷淋板的制造方法而制造的。
8.一种等离子体处理装置,其特征在于,
该等离子体处理装置具有权利要求7所述的喷淋板。
9.一种喷淋板,其特征在于,
该喷淋板位于形成等离子体的等离子体处理装置中,包括:
电介质板,其由电介质材料形成;
凹部,其形成在上述电介质板的朝向上述等离子体的面上;
气体流路,其自上述凹部的底面贯通上述电介质板;
多孔质气体流通体,其为柱状,由多孔质材料形成;
致密构件,其为筒状,由不透气的致密材料形成;
多孔片体,其用上述致密构件以与上述多孔质气体流通体的侧面相接触的方式覆盖该多孔质气体流通体的侧面并形成为一体,该多孔片体安装在上述凹部中;
上述多孔质气体流通体与上述致密构件的间隙的大小、以及上述凹部侧面与上述多孔片体的间隙的大小小于上述多孔质气体流通体所包含的最大值气孔直径。
10.根据权利要求9所述的喷淋板,其特征在于,
上述多孔质气体流通体所包含的最大值气孔直径为0.1mm以下。
11.根据权利要求9或10所述的喷淋板,其特征在于,
上述多孔质气体流通体不接触上述凹部。
12.一种等离子体处理装置,其特征在于,
该等离子体处理装置具有权利要求9~11中任意一项所述的喷淋板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造