[发明专利]喷淋头和基板处理装置有效
| 申请号： | 200910127041.6 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101533764B | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 饭塚八城;切石史子;小宫山刚司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 喷淋 处理 装置 | ||
1.一种喷淋头，其形成有与载置台相对的相对面，用于从该相对 面向基板以喷淋状供给气体，该载置台设置于在内部处理所述基板的 处理腔室并用于载置所述基板，该喷淋头的特征在于，包括：
从所述相对面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给 部；
从所述相对面的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给 部；以及
排气部，其具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体 供给部之间的多个排气孔，从所述相对面进行排气。
2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：
所述喷淋头形成与所述载置台相对的相对电极。
3.一种基板处理装置，其具有：在内部处理基板的处理腔室；设 置于所述处理腔室内，用于载置所述基板的载置台；形成有与所述载 置台相对的相对面，从该相对面向所述基板以喷淋状供给气体的喷淋 头，该基板处理装置的特征在于，
所述喷淋头具备：
从所述相对面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给 部；
从所述相对面的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给 部；以及
排气部，其具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体 供给部之间的多个排气孔，从所述相对面进行排气。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述喷淋头形成与所述载置台相对的相对电极。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
对所述喷淋头和所述载置台之间施加高频电力而产生等离子体， 通过该等离子体进行所述基板的处理。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：
所述基板的处理为蚀刻处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
