[发明专利]用于制造单晶硅片绒面的加热装置和方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种加热装置和方法，尤其是一种用于制造单晶硅片绒面的加热装置和方法。

背景技术

单晶硅片是制造太阳电池的重要材料，在太阳电池的生产过程中，需要将切割后的单晶硅片去除因切割出现的损伤层并在单晶硅片表面制造绒面，使得单晶硅片可以较好的吸收太阳光热。现有技术中制造单晶硅片绒面和去除损伤层的方法主要是将切割工序后的单晶硅片放入碱性或酸性处理水池中，然后通过加热装置给处理水池加热，当处理水池温度达到一定温度后，一般是80℃，单晶硅片表面开始发生化学变化，切割工序造成的损伤层开始脱落并且单晶硅片表面开始出现小的凸起，当这些小的凸起覆盖整个单晶硅片表面时，单晶硅片的绒面也就形成。所以为了要制得完整的绒面就必须使得处理水池中单晶硅片表面各个点受热均匀，但现有技术中的加热装置用三根加热管进行加热，由于液体的热传导速率比较慢，造成距加热管近的地方温度高，远的地方温度低，而处理水池不同地方温度一般有1～3摄氏度的温度差别，这就使得在一定的时间内，在温度适宜的地方，硅片绒面已经制成，而其他地方由于温度不够绒面还未形成，进而不仅造成制绒时间的延长和化学品的消耗，而且也使得制成硅片的机械强度减少及后续工序中铝苞的增多，进而硅片报废率增加。

发明内容

为了解决现有技术中不能给处理水池中的单晶硅片均匀加热的问题，本发明实施例提供一种用于制造单晶硅片绒面的加热装置，该装置不仅增加了加热管的密度，而且可以连续控制水温，使槽体不同地方温度只有0.5～1℃的差别，从而可以显著提高整个处理水池温度的均匀性。

为了实现上述发明目的，本发明实施例提供了一种用于制造单晶硅片绒面的加热装置，所述装置包括电源端、开关和设置在处理水池中的数个加热管，所述加热装置还包括移相调压模块和温度控制器，所述移相调压模块通过所述开关与电源端相连，所述温度控制器上的温度传感器设置于所述处理水池中，用于检测所述处理水池中的水温，所述温度控制器将所述温度传感器测得的水温模拟值转变成水温数字值并计算所述水温数字值对应的电流值，输出所述电流值至所述移相调压模块，所述移相调压模块计算所述电流值对应的电压值并输出所述电压值大小的电压至每个加热管中，以使所述加热管根据所述电压发热。

本发明还提供一种用于制造单晶硅片绒面的方法，包括，检测放置有所述单晶硅片的处理水池中的水温值；将所述水温值转换为数字参数并计算所述数字参数对应的电流值；计算所述电流值对应的等效电压值并根据所述电压值给所述处理水池加热。

本发明实施例的有益效果在于：可以对处理水池中制绒液体的温度进行精确控制，使得单晶硅片上各点受热均匀，从而缩短了制绒时间，减少了硅片减薄量，并且相应的化学品使用量和电能损耗也大大减少。

附图说明

图1为本发明实施例一用于制造单晶硅片绒面的加热装置的结构框图。

图2为实施例二中对应表1处理水池内各个点的分布图。

图3为实施例三用于制造单晶硅片绒面的方法的示意流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步地详细描述。

本发明实施例为一种对单晶硅片制绒处理水池中的溶液进行加热的技术，在所述处理水池中放置有数个加热管，通过连续的检测水温，从而给加热管提供合适的加热功率，使得处理水池中的水温一直保持在制造单晶硅片绒面的理想温度，也保证了单晶硅片上各个点受热均匀。

实施例一、