[发明专利]非易失性磁存储装置

权利要求书

1.一种非易失性磁存储装置，其包括磁阻效应元件，该磁阻效应元 件包括：

(A)具有记录层的分层结构，

(B)与所述分层结构的下部电连接的第一布线，

(C)与所述分层结构的上部电连接的第二布线，以及

(D)包围所述分层结构的层间绝缘层，

其中，所述磁阻效应元件还包括杨氏模量小于形成所述层间绝缘层 的材料的杨氏模量的低杨氏模量区域，

所述记录层具有易磁化轴和与该易磁化轴正交的难磁化轴，

当形成所述记录层的材料的磁致伸缩常数λ为正值时，所述低杨氏模 量区域设置于所述记录层的易磁化轴的延伸区域中，而

当形成所述记录层的材料的磁致伸缩常数λ为负值时，所述低杨氏模 量区域设置于所述记录层的难磁化轴的延伸区域中。

2.如权利要求1所述的非易失性磁存储装置，其中，所述低杨氏模量 区域由所述第二布线的延伸部分形成。

3.如权利要求1所述的非易失性磁存储装置，其中，所述低杨氏模量 区域由包围所述第二布线的上绝缘层的延伸部分形成。

4.如权利要求1所述的非易失性磁存储装置，其中，所述磁阻效应元 件包括自旋注入型磁阻效应元件。

5.如权利要求4所述的非易失性磁存储装置，其中，在所述分层结构 的下面还设有由场效应晶体管形成的选择晶体管，并且

所述第二布线的延伸方向平行于构成所述场效应晶体管的栅极的延 伸方向。

6.如权利要求1所述的非易失性磁存储装置，其中，在所述分层结构 的上部和所述第二布线之间设有连接部，并且

形成所述连接部的材料的杨氏模量大于形成所述层间绝缘层的材料 的杨氏模量。

7.如权利要求1所述的非易失性磁存储装置，其中，形成所述第一布 线的材料的杨氏模量大于形成所述层间绝缘层的材料的杨氏模量。

8.如权利要求1所述的非易失性磁存储装置，其中，在所述分层结构 的上部和所述第二布线之间设有连接部，

形成所述连接部的材料的杨氏模量大于形成所述层间绝缘层的材料 的杨氏模量，并且

形成所述第一布线的材料的杨氏模量大于形成所述层间绝缘层的材 料的杨氏模量。

9.如权利要求1所述的非易失性磁存储装置，其中，所述记录层的平 面形状呈伪菱形，

构成所述伪菱形的四条边中的至少两条边各自包括中心部分向所述 伪菱形的中心弯曲的光滑曲线，

所述记录层的易磁化轴基本上平行于所述伪菱形的长轴，

所述记录层的难磁化轴基本上平行于所述伪菱形的短轴，并且

构成所述记录层的平面形状的各条边彼此光滑地连接。

10.一种非易失性磁存储装置，其包括磁阻效应元件，该磁阻效应元 件包括：

(A)具有记录层的分层结构，

(B)与所述分层结构的下部电连接的第一布线，

(C)与所述分层结构的上部电连接的第二布线，以及

(D)包围所述分层结构的层间绝缘层，

其中，所述磁阻效应元件还包括杨氏模量大于形成所述层间绝缘层 的材料的杨氏模量的高杨氏模量区域，

所述记录层具有易磁化轴和与该易磁化轴正交的难磁化轴，

当形成所述记录层的材料的磁致伸缩常数λ为正值时，所述高杨氏模 量区域设置于所述记录层的难磁化轴的延伸区域中，而

当形成所述记录层的材料的磁致伸缩常数λ为负值时，所述高杨氏模 量区域设置于于所述记录层的易磁化轴的延伸区域中。

11.如权利要求10所述的非易失性磁存储装置，其中，所述高杨氏模 量区域由所述第二布线的延伸部分形成。

12.如权利要求10所述的非易失性磁存储装置，其中，所述高杨氏模 量区域由包围所述第二布线的上绝缘层的延伸部分形成。