[发明专利]配线板、半导体器件及制造配线板和半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

配线板，包括：

上面布置了第一电极的第一表面和上面布置了第二电极的第二表面；以及

至少单层绝缘层和至少单层配线层，其中：

布置在所述第二表面上的第二电极嵌入所述绝缘层中；

所述第二电极的暴露于所述第二表面的那个表面的相反侧表面连接到所述配线层；

所述第二电极的侧面的一部分不与所述绝缘层接触；

所述布线层的与所述第二电极连接的那个侧表面的至少一部分不与所述第二电极嵌入到的所述绝缘层接触；以及

所述第一电极的侧面的至少一部分不与所述绝缘层接触；以及

连接到所述第一电极和/或所述第二电极的一个或多个半导体元件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一电极和所述第二电极直接连接，一个或多个半导体元件连接到所述第一电极；以及

一个或多个半导体元件连接到所述第二电极。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，利用包括低熔点金属或导电树脂的材料，来把所述半导体元件倒装连接到所述第一电极和/或所述第二电极。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，利用主要金属为金的线，通过丝焊法把所述半导体元件连接到所述第一电极和/或所述第二电极。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，利用从包括低熔点金属、有机树脂和含金属树脂的组中所选择的至少一种材料，来把所述半导体元件连接到根据权利要求1至7任一权利要求所述的配线板。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一电极和/或所述第二电极上提供包括焊料的金属球。

7.根据权利要求1～6任何之一所述的半导体器件，其中所述第二电极与所述配线层直接连接。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

在支持板上形成绝缘层；

在所述绝缘层中将要形成第二电极的位置形成开口，使得所述支持板暴露；

在所述开口中形成所述第二电极；

在所述绝缘层和所述第二电极上形成配线层；

在所述绝缘层和所述第二电极上形成第一电极；

把一个或多个半导体元件安装在所述第一电极上；

除去所述支持板；以及

在所述绝缘层和所述第二电极的与所述绝缘层接触的那个侧面之间形成间隙。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，由相同的导电膜形成所述绝缘层和所述第二电极上的配线层以及所述绝缘层和所述第二电极上的第一电极，并通过对该导电膜进行构图来同时形成。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在支持板上形成绝缘层；

在所述绝缘层中将要形成第二电极的位置形成开口，使得所述支持板暴露；

在所述开口中形成所述第二电极；

形成至少一层或多层配线层以及至少一层或多层绝缘层；

在最上面绝缘层上形成第一电极；

把一个或多个半导体元件安装在所述第一电极上；

除去所述支持板；以及

在所述绝缘层和所述第二电极的与所述绝缘层接触的那个侧面之间形成间隙。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述最上面绝缘层上形成第一电极的步骤中，在所述最上面绝缘层上形成配线层。

12.根据权利要求8至11任一权利要求所述的制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在所述绝缘层中将要形成第二电极的位置形成开口、使得所述支持板暴露的步骤和在所述开口中形成所述第二电极的步骤之间，通过湿法刻蚀或干法刻蚀来向所述开口的侧面提供比所述绝缘层更容易除去的绝缘膜。