[发明专利]电阻式存储器器件和形成电阻式存储器器件的方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器器件，包括：

衬底上的电阻式存储器元件；

覆盖所述电阻式存储器元件的侧表面的第一绝缘层；

所述电阻式存储器元件上的导线；以及

覆盖所述导线的侧表面的第二绝缘层，

其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在从下述组中选择出的至少一个方面有所不同，所述组包括：硬度、应力、介电常数、导热率和孔隙度。

2.如权利要求1所述的电阻式存储器器件，其中所述第一绝缘层比所述第二绝缘层具有更高的硬度。

3.如权利要求2所述的电阻式存储器器件，其中所述第一绝缘层比所述第二绝缘层具有更低的孔隙度。

4.如权利要求1所述的电阻式存储器器件，其中所述第二绝缘层比所述第一绝缘层具有更低的介电常数。

5.如权利要求4所述的电阻式存储器器件，其中所述第二绝缘层包括：硼掺杂氧化硅层、磷掺杂氧化物层、硼和磷掺杂氧化物层、碳掺杂氧化硅层、氢倍半硅氧烷(HSQ)层、甲基倍半硅氧烷(MSQ)层、SiLK层、聚酰亚胺层、聚降冰片烯层、或聚合物电介质材料层。

6.如权利要求4所述的电阻式存储器器件，其中所述第二绝缘层包括低k材料层，所述低k材料层比氧化硅(SiO₂)具有更低的介电常数。

7.如权利要求1所述的电阻式存储器器件，其中所述第二绝缘层比所述第一绝缘层具有更高的孔隙度。

8.如权利要求7所述的电阻式存储器器件，其中所述第二绝缘层比所述第一绝缘层具有更低的介电常数。

9.如权利要求1所述的电阻式存储器器件，其中所述电阻式存储器元件包括相变存储器元件，并且所述第一绝缘层具有拉应力以及比所述第二绝缘层具有更高的硬度和更低的孔隙度。

10.如权利要求1所述的电阻式存储器器件，其中所述导线包括与所述电阻式存储器元件电连接的位线。

11.一种形成电阻式存储器器件的方法，包括：

在衬底上形成具有第一开口的第一绝缘层；

在所述开口中形成电阻式存储器元件；

在所述电阻式存储器元件和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，该第二绝缘层具有暴露出所述电阻式存储器元件的开口；以及

通过用传导材料填充所述开口，来形成与所述电阻式存储器元件连接的导线；

其中，形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在从下述组中选择出的至少一个方面有所不同，所述组包括：硬度、应力、介电常数、导热率和孔隙度。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一绝缘层由呈现拉应力的绝缘材料形成。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述第二绝缘层由下述材料形成，该材料比所述第一绝缘层具有更低的介电常数。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第二绝缘层由以下材料形成：硼掺杂氧化硅、磷掺杂氧化物、硼和磷掺杂氧化物、碳掺杂氧化硅、氢倍半硅氧烷(HSQ)、甲基倍半硅氧烷(MSQ)、SiLK、聚酰亚胺、聚降冰片烯、或聚合物电介质材料。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述第一绝缘层由下述材料形成，该材料比所述第二绝缘层具有更高的拉应力、更高的硬度、以及更低的孔隙度。

16.一种形成电阻式存储器器件的方法，包括：

在衬底上形成电阻式存储器元件；

在所述衬底上形成第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖所述电阻式存储器元件的侧壁；

在所述电阻式存储器元件和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，该第二绝缘层具有暴露出所述电阻式存储器元件的开口；以及

通过用传导材料填充所述开口，来形成与所述电阻式存储器元件连接的导线，

其中，形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在从下述组中选择出的至少一个方面有所不同，所述组包括：硬度、应力、介电常数、导热率和孔隙度组成。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述第一绝缘层由具有拉应力的绝缘材料形成。